BUK9226-75A,118 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BUK9226-75A,118

商品编码: BM0084330475
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 114W 75V 45A 1个N沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.83
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.83
--
100+
¥5.79
--
500+
¥5.36
--
2500+
¥5.21
--
5000+
¥5.05
--
10000+
¥4.87
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

BUK9226-75A,118参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)45A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)24.6mΩ@25A,10V
功率(Pd)114W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)3.12nF@25V工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

BUK9226-75A,118手册

BUK9226-75A,118概述

BUK9226-75A,118 产品概述

1. 引言

BUK9226-75A,118 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用现代金属氧化物半导体技术,专为高效电源管理和开关应用而设计。凭借其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围,此器件在各种工业、消费电子和汽车应用中表现出色。

2. 主要规格

  • FET 类型: N 通道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 75V
  • 最大连续漏极电流 (Id): 45A(在适当的散热条件下)
  • 最大导通电阻 (Rds On): 24.6 毫欧(在 25A 和 10V 驱动电压下)
  • 驱动电压 (Vgs): 可支持 4.5V 到 10V
  • 阈值电压 Vgs(th): 最大 2V @ 1mA
  • 最大功率耗散: 114W(在适当的热管理条件下)
  • 工作温度范围: -55°C 到 175°C
  • 输入电容 (Ciss): 最大 3120pF @ 25V
  • 封装类型: DPAK(TO-252-3 封装)

3. 技术优势

BUK9226-75A,118 采用先进的制造工艺,可有效降低在开关操作过程中产生的导通损耗与开关损耗,从而提高整体的电源效率。这一特性使得该器件非常适合高频应用,如开关电源、直流-直流转换器和电机驱动器等。此外,其低导通电阻特性有助于减少热量产生,提高系统的稳定性与可靠性。

4. 应用场景

该 MOSFET 极其适用于各类需要高额定电流和电压的应用场景,包括但不限于:

  • 电源管理系统: 在开关电源中作为主开关使用,以提高效率并降低功耗。
  • 电机驱动: 在工业和汽车电机控制系统中,经常作为控制元件使用以实现高效驱动。
  • 电动汽车: 用于动力控制和电池管理系统,提高能量管理效率。
  • 消费电子: 例如笔记本电脑等便携式设备中的电源管理应用。

5. 散热与可靠性

在高功率应用中,BUK9226-75A,118 的散热设计至关重要。该器件的最大功率耗散为 114W,使得在高电流工作下,良好的热管理可确保器件在其最高工作温度范围内安全运行。建议用户在设计电路时考虑合适的散热方案,以延长器件寿命并提升整体系统稳定性。

6. 小结

BUK9226-75A,118 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围,适合多种高效电源和开关应用。Nexperia(安世)作为这一器件的制造商,以其出色的品质和可靠性,确保了产品的优良表现。对于设计工程师而言,选择 BUK9226-75A,118 将极大提升其设备在现代市场中的竞争力和性能,满足高效、可靠及环保的设计需求。