BUK7M11-40HX 产品实物图片
BUK7M11-40HX 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BUK7M11-40HX

商品编码: BM0084330497
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
LFPAK33
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 50W 40V 35A 1个N沟道 SOT1210
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.28
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.28
--
100+
¥2.73
--
750+
¥2.49
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述

BUK7M11-40HX参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)35A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.3mΩ@10V,10A
功率(Pd)50W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)11.2nC@10V输入电容(Ciss@Vds)730pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)35pF@25V工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

BUK7M11-40HX手册

BUK7M11-40HX概述

BUK7M11-40HX 产品概述

一、产品基本信息

BUK7M11-40HX是一款先进的N通道MOSFET(场效应管),由知名品牌Nexperia(安世)生产。该器件采用了LFPAK33封装,具有优异的电性能和高功率处理能力,适合在各种应用场景中发挥作用,尤其是在电源管理、逆变器、马达驱动等高电流、高电压的场合。

二、关键规格

  1. FET类型: N通道
  2. 技术: MOSFET(金属氧化物场效应管)
  3. 漏源电压(Vdss): 40V
  4. 连续漏极电流(Id): 35A(在25°C环境温度下)
  5. 导通电阻(Rds On): 在Vgs为10V条件下,Id为10A时,Rds On最大值为11毫欧,表现出卓越的导电性能。
  6. 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为3.6V(在1mA测试条件下),确保该FET能够实现低电压控制。
  7. 栅极电荷(Qg): 最大值为16nC(在10V条件下),能够在高速开关应用中有效减少损耗。
  8. 输入电容(Ciss): 最大值为1022pF(在25V条件下),提供优良的频率响应特性。
  9. 功率耗散: 最大允许功率为50W(在25°C环境下),可以承受较大的功率负载。
  10. 工作温度范围: 从-55°C到175°C,适合在极端环境条件下工作。
  11. 封装类型: LFPAK33,表面贴装型,有助于降低PCB空间占用并提升散热性能。

三、应用场景

BUK7M11-40HX由于其强大的电参数,广泛应用于以下领域:

  • 电源管理: 本产品可用作DC-DC转换器中的开关元件,能够高效地控制电流和电压,提升电源转化效率。
  • 逆变器: 在太阳能逆变器和工业逆变器应用中,BUK7M11-40HX能够处理大电流,确保高效的能量转化。
  • 电子驱动: 可用于马达驱动电路中,兼具高频开关能力和高电流承载能力,有效提升马达控制系统的性能。
  • 电池管理系统: 在电池充放电管理中,可以有效控制电流流动,确保系统的安全性和稳定性。

四、竞争优势

BUK7M11-40HX的竞争优势体现在以下几个方面:

  • 低导通电阻: 11毫欧的导通电阻使得该器件在高电流下的功耗极低,大大提升了能效。
  • 高功率处理能力: 可承受50W的功率,确保在苛刻环境中也能够稳定工作,适用于高功率应用。
  • 宽广的工作温度范围: 确保在极端温度条件下可靠运行,为多种应用提供了灵活性。
  • 低栅极电荷: 提高了开关速度,适合高频应用,增强了系统的整体性能。

五、总结

BUK7M11-40HX是一款出色的N通道MOSFET,以其优异的电气性能、稳健的工作温度范围和高功率处理能力,成为各类电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、逆变器还是马达驱动等应用中,该产品都能够提供高效和可靠的解决方案。选择BUK7M11-40HX,将为您的设计提供强大的支持与保障。