晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 4.1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@2A,2V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 210mV@4.1A,410mA |
PBSS306PZ,135 是一款高性能的 Nexperia 生产的 PNP 型晶体管(BJT),采用表面贴装封装(SOT-223),具有优良的电子性能和可靠性。这款晶体管的额定功率为 2W,电压范围达到 100V,以及可承载的最大集电极电流 (Ic) 4.1A,非常适合在高频且高电流的应用环境中使用。
PBSS306PZ,135 由于其突出的电气特性,广泛应用于如下场景:
PBSS306PZ,135 在多个方面表现优异,不仅具备良好的高频特性(跃迁频率高达 100MHz),还拥有较低的饱和压降,适合高效能的电源管理。在其工作温度高达 150°C 的情况下,确保了其在各种严苛环境中的稳定性和可靠性。高达 4.1A 的集电极电流能力使其在需要较大电流的应用中表现卓越。
此外,这款器件采用卷带(TR)包装,方便实现自动化贴装,提升生产效率。装置的紧凑封装(SOT-223/TO-261-4)也助力了设计小型化的需求,对于需要节省空间的现代电子产品尤为合适。
总的来说,PBSS306PZ,135 是一款具有优异性能的 PNP 晶体管,适用于高电流、高速率的电源管理和信号处理应用。凭借其出色的电气特性和灵活的应用范围,它为设计工程师提供了一种有效的解决方案,以满足各种电子设计的复杂需求。选择 PBSS306PZ,135,能够在你的电路设计中实现高效、可靠的电源控制和信号放大功能。