晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 370mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1A,5V | 特征频率(fT) | 150MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@1A,100mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
产品概述:PBSS5160DS,115
PBSS5160DS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 PNP 晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该器件以其卓越的电气性能和实用性,成为了许多设计项目的首选。
基本参数
PBSS5160DS,115 属于晶体管(BJT)类型,具备以下重要参数:
功率及频率特性
该三极管的最大功率为 420mW,适合多种中小功率电路应用。同时,PBSS5160DS,115 的跃迁频率为 185MHz,意味着其在高频应用中表现良好,可以满足现代高速电子设备的需求。
工作环境
PBSS5160DS,115 的工作温度可达 150°C(结温),适应性极强,适用于高温环境的应用,如汽车电子和工业设备。这一特性同样使得该器件在耐久性和可靠性方面具有优势。
封装与安装
该产品实施了表面贴装型设计,采用 SC-74(SOT-457)封装,具有紧凑的外形与轻便的重量,适合空间受限的应用环境。采用卷带包装(TR)可实现自动化贴装,进一步提高生产效率。
应用场景
PBSS5160DS,115 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总结
PBSS5160DS,115 是一款高性能的 PNP 晶体管,凭借其卓越的电气特性、高温工作能力和紧凑的封装设计,适合用于多种电路应用。其在开关电源、功率放大器和信号调理等领域展现出强大的实用性,能够满足现代电子工程师的各类需求。对于追求高效率和高度可靠性的电子设计项目,PBSS5160DS,115 无疑是一个理想的选择。