类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,2.5A |
功率(Pd) | 660mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 616pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 26pF@30V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
PMN100EPAX 是一款由 Nexperia USA Inc. 制造的高性能 P 通道场效应管(MOSFET),属于其汽车级产品系列,符合 AEC-Q101 标准,确保满足汽车电子应用的高可靠性与安全性要求。该 MOSFET 采用 TrenchMOS™ 技术,具备优异的导通性能和低耗散特性,适合于各种高效率的电源管理和开关电路应用。
工作特性:
导通电阻与门极电压:
功耗与热管理:
温度范围:
PMN100EPAX 采用SC-74(SOT-457)封装形式,支持表面贴装(SMD)安装。这种小型化的封装设计有效节省了电路板的空间,同时方便集成在现代微型化电子产品中。
因其电气特性和高温可工作能力,PMN100EPAX 特别适合如下应用:
PMN100EPAX 是一款结合了高电流、高电压和广泛温度范围的 P 通道 MOSFET,具有低导通阻抗和高功率耗散能力,特别适合在危险的极端环境下使用。凭借其可靠的性能和优异的热管理特性,广泛应用于汽车、工业和消费电子领域,为设计师在进行高效、安全的电源管理方面提供了更为理想的解决方案。Nexperia 在 MOSFET 生产领域的丰富经验和创新的设计理念,使得 PMN100EPAX 成为市场上具有竞争力的产品之一。