类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 35.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 55W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
概述
BUK7M19-60EX是一款高性能的N通道MOSFET (金属氧化物半导体场效应管),具有优良的电气特性和宽广的应用范围。该器件由Nexperia(安世)制造,采用了先进的LFPAK33封装,其设计旨在满足高电流和高电压应用的需求。产品的最大漏源电压为60V,连续漏极电流高达35.8A,适用于各种电源管理和开关应用。
关键参数
BUK7M19-60EX的主要参数包括:
封装与安装
BUK7M19-60EX采用SOT-1210 / LFPAK33表面贴装型封装,这种形式不仅有助于减小PCB占用空间,同时还能提高散热效率,从而增强器件的性能和可靠性。封装设计兼顾了电气性能与加工便利性,也符合现代电子产品对元器件小型化、轻量化的需求。
应用领域
BUK7M19-60EX适用于多种应用场景,包括:
总 结
作为一款高效能、可靠的N通道MOSFET,BUK7M19-60EX能够满足现代电子产品对高功率、低能耗的要求。其广泛的应用领域和卓越的工作特性,使得BUK7M19-60EX成为电源管理、工业自动化和汽车电子等领域的理想选择。凭借Nexperia的行业信誉和该MOSFET的优越性能,设计师和工程师们能够在各种应用中实现更高效的设计方案和更长的使用寿命。