类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 6.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@6.1A,10V |
功率(Pd) | 1.7W;12.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 45nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.57nF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
PMPB27EPAX 是一款由 Nexperia USA Inc. 研发的高性能 P 通道 TrenchMOS™ MOSFET,该元器件专为汽车应用设计,符合 AEC-Q101 标准,具备卓越的效率和可靠性。其创新的设计和高品质的制造工艺,使得 PMPB27EPAX 可以在各种苛刻环境下稳定工作,广泛应用于汽车电子、工业控制和消费电子等领域。
连续漏极电流 (Id):在 25°C 时,PMPB27EPAX 能够承受高达 6.1A 的连续漏极电流,确保其能够处理多种负载条件,并在高功率运作中保持稳定。
导通电阻 (Rds(on)):在 10V 的栅极驱动电压下,其最大导通电阻为 29 毫欧,这意味着在进行高电流操作时,能显著降低功率损耗,提升整体系统效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)):最大值为 2.5V @ 250µA,这一低阈值特性使得 PMPB27EPAX 在较低的驱动电压下也能迅速开启,大大提高了响应速度。
广泛的工作温度范围:该元器件具备 -55°C 到 150°C 的工作温度范围(TJ),能够适应各种恶劣环境,对于汽车及工业用途尤为重要。
高功率耗散能力:PMPB27EPAX 的最大功率耗散能力为 1.7W(环境温度 Ta),在更高的散热条件下,功率耗散可以达到 12.5W(Tc),为高效能应用提供了额外支撑。
封装类型:采用 DFN2020MD-6 封装,这种 6-UDFN 裸露焊盘的设计有利于降低寄生电感和电容,提高了电气性能。这种紧凑的表面贴装型安装方式也使得在密集电路板上布局变得更加灵活。
高电压特性:漏源电压 Vdss 为 30V,适合用于中高电压应用场合,能够满足多种电路设计的需求。
低栅极电荷:在 10V 驱动下,栅极电荷 Qg 最大为 45nC,这表明该 MOSFET 在切换状态时所需的控制能量较低,进一步提升了其应用效率。
PMPB27EPAX 广泛应用于多个领域:
PMPB27EPAX 是一款具有多项优良性能的 P 通道 MOSFET,特别适合于要求高效率、高功率和可靠性的应用场合。凭借其卓越的电气特性和稳定的工作温度范围,使其在现代汽车、工业控制及消费电子领域中扮演着重要角色。通过采用 PMPB27EPAX,设计工程师能够有效地优化电子产品的性能,提高系统效率和可靠性。随着技术的不断进步和市场需求的增加,PMPB27EPAX 将继续为电子产业的发展提供支持。