类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 15.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V,5A |
功率(Pd) | 32W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.2nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 535pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 72pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
BUK7K52-60EX 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的高性能 N-通道场效应管(MOSFET),其设计专为高效能的电源管理和开关应用而优化。作为一款表面贴装型器件,BUK7K52-60EX 结合了低导通电阻、高电流承载能力及广泛的工作温度范围,能够满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求。
BUK7K52-60EX 适合用于多种应用场景,包括但不限于:
BUK7K52-60EX 是一款先进的 N-通道 MOSFET,具备多项出色的性能参数,是现代电子设计中非常重要的组件。其结合了低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围,特别适合于电源管理、开关电源和电机驱动等多领域应用。选择 BUK7K52-60EX,将为电路设计带来更高的效率和可靠性,是满足高效能电子设备需求的理想解决方案。