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产品概述：BUK9M85-60EX N通道MOSFET

在现代电子设计中，选择合适的场效应管（FET）对于实现高效、可靠的电路至关重要。BUK9M85-60EX 是一款由 Nexperia（安世）公司生产的高性能 N 通道 MOSFET，封装形式为 LFPAK33 (SOT-1210)。该器件在45V至60V之间提供出色的电流控制和功率处理能力，是广泛应用于电源管理和驱动电路中的理想选择。

关键规格

1. FET 类型: N 通道
2. 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
3. 漏源电压（Vdss）: 60V
4. 额定电流（Id）: 25°C 时连续漏极电流为 12.8A（Tc）
5. 导通电阻（Rds On）:
   • @ 5A 时最大值为73毫欧，工作在5V 和 10V 驱动电压下
6. 栅极阈值电压（Vgs(th)）:
   • 1mA 时最大值为 2.1V
7. 栅极电荷（Qg）:
   • @ 5V 的最大值为 4.4nC
8. 最大 Vgs: ±10V
9. 输入电容（Ciss）:
   • @ 25V 时最大值为 434pF
10. 功率耗散:
    • 最大值为 31W（Tc）
11. 工作温度范围:
    • -55°C 至 175°C（TJ）
12. 安装类型: 表面贴装型
13. 供应商器件封装: LFPAK33

应用领域

BUK9M85-60EX MOSFET 特别适用于要求苛刻的应用环境，如：

• 电源管理: 由于其优异的导通特性和热性能，该器件非常适合用于DC-DC变换器及其他电源转换电路中。
• 电机驱动: 主要用于驱动各种电机，如直流电机和步进电机，帮助快速而有效地控制电流。
• 逆变器: 在太阳能和储能系统中，用于有效地将直流电转换为交流电，提高能量转换效率。
• 开关电源: 由于其出色的开关性能，适合在开关电源设计中用于增强电路性能。

性能优势

BUK9M85-60EX 在性能方面具有多项优势：

• 低导通电阻: 低 Rds On 值确保正常工作状态下的热量产生更少，从而提高了器件的可靠性和系统的效率。
• 宽工作温度范围: -55°C 到 175°C 的广泛应用能够满足各种苛刻环境的需求，使其能够在极端条件下稳定工作。
• 高功率处理能力: 31W 的功率耗散能力，使该器件能够在高负载应用中表现优越，确保长期稳定性。
• 小型封装: LFPAK33 封装使其适合各种紧凑设计，符合现代电子设备对空间的要求。

结论

总之，BUK9M85-60EX MOSFET 是一款出色的场效应管，凭借其高性能特点和多种应用，成为现代电源管理和驱动电路设计的首选方案。无论是在电源转换、电机控制还是其他应用中，凭借其稳定性和可靠性，该器件无疑能够满足并超越设计工程师的期望。