类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V,3.1A |
功率(Pd) | 1.15W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.25V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.9nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 256pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 23pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
PMDPB56XNEAX 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能双 N-通道 MOSFET。该元件采用 DFN-2020D-6 表面贴装封装,专为需要高效电源管理和电路驱动的各种电子应用设计。凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,PMDPB56XNEAX 在现代电子产品中具有很大的应用潜力。
电气性能
阈值电压和栅极电荷
输入电容
功率耗散
工作温度
封装与安装
PMDPB56XNEAX 适用于多个领域和应用场景,包括但不限于:
PMDPB56XNEAX 是一款高效、可靠的双 N-通道 MOSFET,凭借其优越的电气性能、宽温范围和紧凑封装,成为科学与工程领域设计师和工程师的理想选择。无论是在电源管理、电机驱动还是负载控制应用中,PMDPB56XNEAX 都能够满足高标准的性能需求,助力各种电子产品的创新与发展。对于寻求高效能解决方案的设计者,PMDPB56XNEAX 将是一个极具竞争力的选择。