类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 600mA;500mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 620mΩ@600mA,4.5V |
功率(Pd) | 265mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 700pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 21.3pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
PMCXB900UEZ 是一款高性能、逻辑电平互补型场效应管(MOSFET),由 Nexperia(安世)公司出品,采用先进的表面贴装技术(SMD),封装类型为 DFN1010B-6。该产品包含一个 N 沟道 MOSFET 和一个 P 沟道 MOSFET,具有极低的导通电阻和出色的电气特性,非常适合低压、低功耗应用。
电气特性:
功率与热管理:
PMCXB900UEZ 拥有广泛的应用潜力,主要包括:
PMCXB900UEZ 采用 DFN1010B-6 封装,尺寸小,适合汽车、消费电子和工业设备的高密度电路板设计。裸露焊盘的设计使得在表面贴装中焊接更加简单,以提高生产效率。
作为 Nexperia(安世)公司的产品,PMCXB900UEZ 享有高品质的保证和广泛的技术支持。Nexperia 拥有丰富的半导体元器件经验,提供全面的产品文档和应用示例,以帮助客户更快地实现设计和开发目标。
PMCXB900UEZ 是一款功能强大且灵活的逻辑电平 MOSFET,适用于各种低功耗应用中。其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围和小巧的封装为设计师在现代电子产品开发中提供了有效的解决方案。无论是在便携式设备、电源管理,还是在工业和汽车应用中,PMCXB900UEZ 都能展现出其优越的性能和潜力。