类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 13A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 82.5mΩ@10V,5A |
功率(Pd) | 38W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.6nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 811pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
BUK7K89-100EX 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能场效应管(MOSFET),采用 SOT-1205 封装,具有出色的电气性能,特别适合在需要高电压和大电流的应用中使用。这款 2 N-通道 MOSFET 的最大漏源电压为 100V,额定连续漏极电流为 13A,可为各种电子设备提供可靠的电源管理解决方案。
BUK7K89-100EX 具有一系列重要的技术参数,使其能够在严苛的工作环境中稳定运行:
BUK7K89-100EX 采用 LFPAK56D-8 封装,支持表面贴装式安装。这种封装设计不仅在尺寸上节省了空间,同时也优化了散热性能。使得该元器件适合各种紧凑型电子设备,尤其是在现代微型化设计中尤为重要。此外,抗热性和机械耐用性使得该产品能承受在复杂工业环境中可能遇到的各种影响。
BUK7K89-100EX 适合于多个应用领域,包括但不限于:
总之,BUK7K89-100EX 是一款高可靠性、高性能的 N 通道 MOSFET,能够满足现代电子系统对高电压、大电流的需求。其低导通电阻、快速开关特性以及宽工作温度范围,使其不仅在消费电子领域有广泛应用,也能在工业控制和汽车电子等领域提供有效支持。凭借可靠的技术参数和灵活的安装方式,BUK7K89-100EX 成为设计师在选择高效MOSFET时的理想选择。