类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 100A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.6mΩ@25A,10V |
功率(Pd) | 167W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30.2nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.137nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
产品概述:BUK9Y3R5-40E,115
BUK9Y3R5-40E,115 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,特别设计用于要求严格的功率控制和开关应用。作为安世(Nexperia)品牌的一部分,该器件凭借其优异的电气性能和出色的热管理能力,非常适合在多种工业和消费电子产品中使用。以下是该产品的详细介绍,包括其技术规格、应用领域以及优势。
BUK9Y3R5-40E,115 的主要技术参数包括:
BUK9Y3R5-40E,115 主要用于以下几个领域:
BUK9Y3R5-40E,115 具有多个显著的性能优势:
综上所述,BUK9Y3R5-40E,115 是一款出色的 N 通道 MOSFET,凭借其高性能规格和广泛的应用领域,成为电力电子设计中不可或缺的组件。无论是在电力管理、开关电源还是电机驱动应用中,该器件均能提供稳定和高效的表现。安世(Nexperia)作为供应商,通过长期的技术积累和成熟的制造工艺,为客户提供可靠的解决方案,助力场效应管技术在各行业中的持续发展与应用。