晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 8A |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 1.75W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 60@2A,1V | 特征频率(fT) | 80MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@8A,400mA |
MJD45H11AJ 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 PNP 晶体管(BJT),专为汽车应用设计,符合 AEC-Q101 标准,确保了在高温和恶劣工作环境下的可靠性。该器件采用表面贴装型封装 TO-252-3(DPak),具有极其优良的热管理特性,适合于现代电子设备的设计要求。
饱和压降(Vce):
集电极截止电流:
直流电流增益(hFE):
频率特性:
电流和电压规格:
功率处理能力:
MJD45H11AJ 特别适用于汽车电子、工业控制和各种需要高功率和高电流的应用场合。具体应用包括:
MJD45H11AJ 是一款设计精良的 PNP 晶体管,凭借其可靠的性能、高效的能量管理以及优异的电气特性,使得其在汽车和工业电子应用中具有不可替代的地位。其高温工作能力和符合AEC-Q101标准的特性,确保了在苛刻环境中的稳定性和长寿命,是设计师在进行电路设计时的重要选择。同时,DPAK封装易于处理,适合自动化生产,进一步提升了生产效率。