晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 500mA | 功率(Pd) | 290mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 70@50mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 400mV@20mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 600mV@100uA,5V | 输入电阻 | 1kΩ |
电阻比率 | 10 | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
PIMN31,115是一款高性能数字晶体管,采用了Nexperia(安世)公司制造的双NPN预偏置设计。该产品采用表面贴装型的SC-74/SOT-457封装,适用于多种电子设备和应用场景。PIMN31,115具有出色的电流放大能力,适合用于数字电路中的开关与放大,特别是在需要高效能和较小尺寸的应用中,表现尤为杰出。
晶体管类型: 该产品包含两个NPN类型的晶体管,以预偏置方式工作,确保在不同的应用场景下均能稳定工作。
集电极电流(Ic)最大值: 该晶体管支持最大集电极电流为500mA,适用于需要较高功率输出的电路设计。
集射极击穿电压(Vce): PIMN31,115的集射极击穿电压达到50V,保证了在绝大多数应用中能够安全运行,即便在较高电压环境下也不会发生击穿。
DC电流增益(hFE): 在正常工作条件下(Ic为50mA,Vce为5V),其最小DC电流增益达到70,这表明该晶体管能够有效提升电流,实现更好的信号放大。
Vce饱和压降: 在典型应用下,Vce的饱和压降为300mV(当Ib为2.5mA,Ic为50mA时),这一低压降特性有助于提高电路效率并减少功耗。
基极及发射极电阻: 该元件在基极处连接了1千欧的电阻器,而发射极则配备了10千欧的电阻器,确保了良好的工作稳定性和信号传输质量。
截止电流: 在最大限度下,集电极截止电流(Ic切换关闭时)为500nA,进一步确保了其在安静状态下的低功耗特性。
最大功率: 该器件在工作时最大功率可达420mW,显示出其在高负载情况下的可靠性。
封装与尺寸: 采用6-TSOP封装,具有较小的体积,使其可方便地在空间受限的电路板上布置,优化了整体设计空间。
PIMN31,115因其出色的参数配置和适应性,广泛应用于以下领域:
PIMN31,115是一款卓越的双NPN预偏置数字晶体管,凭借其广泛的电气参数和多元化的应用领域,是设计工程师在选择电子元器件时的理想选择。无论是在数字电路、通讯设备,亦或是日常消费电子产品中,PIMN31,115都能提供优异的性能和可靠性,为现代电子产品的设计品质带来了保证。由于其紧凑的封装以及高效的功耗管理特性,PIMN31,115将为未来的创新设计提供更为广阔的空间和可能性。