类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 75W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 130nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 7.5nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 760pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
CJU50P06 是一款高性能的 P沟道场效应管(MOSFET),其最大漏极源极电压额定值为 60V,最大持续漏极电流为 50A,以及在 10V 条件下的导通电阻仅为 25mΩ。这使得 CJU50P06 在高效能、电源管理和负载开关等应用领域中表现卓越。该元器件采用 TO-252-2L 封装,小巧且易于散热,非常适合于空间有限且需要高效散热的应用环境。
高电流承受能力:CJU50P06 可以承受高达 50A 的漏极电流,满足各种对高电流要求的电路设计需求。这使得它在电源保护、马达控制等高功率应用中得到了广泛应用。
低导通电阻:其导通电阻仅为 25mΩ,这一特性有效地降低了导通损耗,提高了整体能效,减少了热量的产生。这样的低电阻设计使得 CJU50P06 在高负载情况下仍能保持优良的热性能。
宽电压范围:该器件的最大漏极源极电压为 60V,适合于多种应用场景,无论是用于低电压还是中高电压的系统。
优良的温度特性:CJU50P06 在高温环境下仍能保持良好的性能,适合于较为苛刻的工作环境。此外,它的高开关速度和低输入电容性允许其在快速开关应用中有效地发挥作用。
简便的驱动特性:作为 P 沟道 MOSFET,CJU50P06 的驱动电压相对较低,且其关断和导通过程中的门极电流需求较小,能够简化电路设计并降低驱动电路的复杂性。
CJU50P06适用于广泛的应用场景,包括但不限于:
电源管理:可用于高效电源转换器、DC-DC 转换器以及AC-DC电源等,以提高系统的能效。
负载开关:在电池管理系统、电机驱动和其他需要开关的电路中,CJU50P06能提供快速且可靠的开关控制。
照明控制:在LED驱动器和其他照明模块中,利用其高效能可以降低功耗并提高照明系统的性能。
电机控制:特别适用于无刷直流电机(BLDC)控制,能够有效驱动和控制电机的转速和启停。
消费电子产品:如便携式设备、家用电器和个人电脑等领域中,CJU50P06能够帮助实现更高效的电源管理,提高产品的整体效能。
CJU50P06 采用 TO-252-2L 封装,该封装布局紧凑,适合于 PCB 设计,且具备良好的散热性能。为了确保器件在高功率状态下的稳定性,设计时应考虑适当的散热措施,比如增加散热片、选择良好的 PCB 布局以提高散热效率等。
CJU50P06 是一款非常出色的 P沟道 MOSFET,凭借其优良的导通电阻、高电流承受能力以及宽电压范围,适合于各种高效能应用场合。作为江苏长电(CJ)品牌的产品,凭借其卓越的性能和可靠性,CJU50P06 能够有效提升电子设备的效率,并为工程师在电路设计中提供更多的灵活性与选择。无论是在电源管理、负载开关还是电机控制应用中,该MOSFET都将是理想的解决方案。