晶体管类型 | NPN+PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 65V | 功率(Pd) | 380mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 150@10uA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@100mA,5.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SBC846BPDW1T1G 是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款高性能双极型晶体管(BJT),可用于各种应用场景。它采用 SOT-363 封装,具备卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,适用于需要高开关速度和低噪声特性的电子电路。
SBC846BPDW1T1G 由于其优秀的电气特性和封装设计,可广泛应用于以下领域:
SBC846BPDW1T1G 通常采用 SOT-363 封装,这种小型化设计适应于现代电子产品对空间的严格要求。表面贴装技术(SMT)支持高效的自动化生产,降低了生产成本和时间。
总之,SBC846BPDW1T1G 是一款基本面强劲、适应性广泛的 NPN/PNP 双极型晶体管,具备高增益、低功耗和可靠的工作温度范围。无论是在消费、工业还是汽车领域,该产品都可提供卓越的性能,成为电子设计师的理想选择。