IRF7501TRPBF 产品实物图片
IRF7501TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF7501TRPBF

商品编码: BM0084340715
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
Micro8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W 135mΩ@1.7A,4.5V 20V 2.4A MSOP-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.68
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.68
--
100+
¥3.07
--
1000+
¥2.85
--
2000+
¥2.71
--
4000+
¥2.6
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7501TRPBF参数

漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)2.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)135mΩ@1.7A,4.5V功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)8nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)260pF@15V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

IRF7501TRPBF手册

IRF7501TRPBF概述

IRF7501TRPBF 产品概述

一、基本信息

IRF7501TRPBF是一款由英飞凌(Infineon)推出的双N通道场效应管(MOSFET),具有逻辑电平控制的特点,专为低功耗、高性能应用而设计。该组件在广泛的操作温度范围内具有优异的性能,适合各种电子设备中的功率管理和开关应用。

二、技术参数

  • FET类型: 2 N-通道(双)
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 25°C时电流 - 连续漏极(Id): 2.4A
  • 导通电阻(Rds(on)): 最大135毫欧,测量条件为1.7A,4.5V
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大700mV,测量条件为250µA
  • 栅极电荷(Qg): 最大8nC,测量条件为4.5V
  • 输入电容(Ciss): 最大260pF,测量条件为15V
  • 功率 - 最大值: 1.25W
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)

三、封装与安装

IRF7501TRPBF采用Micro8封装,含8-TSSOP和8-MSOP引脚配置,具有0.118"(3.00mm)宽的紧凑设计,适合表面贴装(SMD)应用。这种小型封装不仅节省了电路板空间,也有助于提高整体运行效率和散热表现。

四、应用场景

  1. 电源管理: IRF7501TRPBF适合用作开关元件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关和后备电源等场景。在这些应用中,低导通电阻(Rds(on))可确保高能效。

  2. LED驱动: 在需要高效和可靠性能的LED驱动电路中,此MOSFET可有效控制电流,并提供稳定的工作条件。

  3. 马达控制: 由于其较高的漏极电流能力和快速开关特性,IRF7501TRPBF可以用于多种马达控制应用,比如直流电机和步进电机驱动,能够实现准确的速度和位置控制。

  4. 通信设备: 在通信系统中,该MOSFET能够用于信号调理电路中的开关作用,确保信号的稳定传输。

  5. 消费电子: 小型器件和同类产品的需求推动了消费电子市场的发展,IRF7501TRPBF作为一种高效的开关元件,非常适合用于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。

五、优势和特点

  • 高效能与低功耗: 由于IRF7501TRPBF具有较低的导通电阻和低栅极电荷,能够在较低的栅极电压下迅速开启,降低了功耗并提升了效率。
  • 宽广的工作温度范围: 其工作温度范围从-55°C到150°C,确保在极端环境下也能稳定工作,适应多种恶劣条件。
  • 多功能性: 这款MOSFET兼具开关和线性调节功能,使其在多种设计中都能灵活应用。

六、结论

综上所述,IRF7501TRPBF是采用先进工艺的高效能MOSFET,适合电源管理、LED驱动、马达控制以及消费电子等多个应用领域。凭借其出色的电流处理能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,IRF7501TRPBF为电路设计提供了强有力的支持,并为实现高效能低功耗的电力管理方案开辟了新的可能性。无论是在工业应用还是消费电子中,IRF7501TRPBF都展示出极大的市场潜力和技术优势。