漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id) | 2.4A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 135mΩ@1.7A,4.5V | 功率(Pd) | 1.25W |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@4.5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 260pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
IRF7501TRPBF是一款由英飞凌(Infineon)推出的双N通道场效应管(MOSFET),具有逻辑电平控制的特点,专为低功耗、高性能应用而设计。该组件在广泛的操作温度范围内具有优异的性能,适合各种电子设备中的功率管理和开关应用。
IRF7501TRPBF采用Micro8封装,含8-TSSOP和8-MSOP引脚配置,具有0.118"(3.00mm)宽的紧凑设计,适合表面贴装(SMD)应用。这种小型封装不仅节省了电路板空间,也有助于提高整体运行效率和散热表现。
电源管理: IRF7501TRPBF适合用作开关元件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关和后备电源等场景。在这些应用中,低导通电阻(Rds(on))可确保高能效。
LED驱动: 在需要高效和可靠性能的LED驱动电路中,此MOSFET可有效控制电流,并提供稳定的工作条件。
马达控制: 由于其较高的漏极电流能力和快速开关特性,IRF7501TRPBF可以用于多种马达控制应用,比如直流电机和步进电机驱动,能够实现准确的速度和位置控制。
通信设备: 在通信系统中,该MOSFET能够用于信号调理电路中的开关作用,确保信号的稳定传输。
消费电子: 小型器件和同类产品的需求推动了消费电子市场的发展,IRF7501TRPBF作为一种高效的开关元件,非常适合用于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
综上所述,IRF7501TRPBF是采用先进工艺的高效能MOSFET,适合电源管理、LED驱动、马达控制以及消费电子等多个应用领域。凭借其出色的电流处理能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,IRF7501TRPBF为电路设计提供了强有力的支持,并为实现高效能低功耗的电力管理方案开辟了新的可能性。无论是在工业应用还是消费电子中,IRF7501TRPBF都展示出极大的市场潜力和技术优势。