工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 技术 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 1Mb (128K x 8) | 存储器接口 | 并联 |
访问时间 | 55ns | 存储器格式 | SRAM |
存储器类型 | 易失 | 安装类型 | 表面贴装型 |
写周期时间 - 字,页 | 55ns | 电压 - 供电 | 2.5V ~ 3.6V |
IS62WV1288BLL-55QLI是一款由美国芯成(ISSI)公司生产的高性能SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片的存储容量为1Mb,采用128K x 8位的存储格式,适合于各种电子设备中对快速数据访问和存储的需求。其设计针对广泛的应用场景,包括但不限于消费电子、工业控制、通信设备、数据采集系统以及其他嵌入式系统。
1. 工作温度范围
IS62WV1288BLL-55QLI的工作温度范围为-40°C至85°C,确保在极端环境条件下的可靠性和稳定性。这使得该元器件适用于温度变化剧烈的应用场景,例如汽车电子、工业设备等。
2. 存储能力
其存储容量为1Mb,结构为128K x 8位,使得该SRAM十分适合需要堆栈数据的应用。相较于传统的EPROM和EEPROM,SRAM提供了更快的访问速度和更高的写入效率。
3. 存储器接口
该芯片采用并行存储器接口,支持高带宽数据传输。这为系统提供了快速读写操作的能力,特别适合实时数据处理和快速数据缓存的应用。
4. 访问时间
IS62WV1288BLL-55QLI的访问时间为55ns,能够满足对数据实时读取的要求。在各种电子应用中,较快的访问时间意味着更高的系统性能,尤其在需要频繁读写操作的场合。
5. 供电电压
此SRAM工作于2.5V至3.6V的供电电压,能够与多种现代微控制器和处理器兼容,对电源的灵活要求也使得其在不同设计中易于集成。
6. 写周期时间
该芯片的写周期时间同样为55ns,意味着在需要即时更新数据的应用中,用户将会体验到更快的反应速度,减少了数据传输的延迟。
7. 安装类型与封装
IS62WV1288BLL-55QLI采用32-SOP(小型封装)表面贴装型设计,适合现代电子设备的高密度设计需求。这种封装能够有效节省电路板空间,促进更小型和集成化的电子产品开发。
IS62WV1288BLL-55QLI由于其优异的性能特征,适用于多种应用领域,包括:
IS62WV1288BLL-55QLI是一款功能强大、性能优越的SRAM芯片,其灵活的工作温度范围、高速访问时间以及适应广泛电压的能力,使其成为各类电子产品的理想选择。无论是在工业应用、消费电子还是嵌入式系统中,IS62WV1288BLL-55QLI都能够提供快速、可靠的存储解决方案,助力设计工程师实现创新和高效的产品开发。