晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SMMBTA06LT1G是一款高性能的NPN型三极管,由知名电子元器件制造商ON Semiconductor(安森美)设计和生产。这款三极管专为各种应用场景而设计,能够满足现代电子设备对高效率、高频率和高温稳定性的需求。其优越的电气性能和稳定的工作特性使其在消费电子、汽车电子和工业控制等领域广泛应用。
由于其卓越的性能,SMMBTA06LT1G广泛应用于多个领域,包括但不限于:
在选择SMMBTA06LT1G进行电路设计时,设计工程师应考虑以下几个方面:
SMMBTA06LT1G具有出色的电气性能,适用于多种高性能应用。无论是在快速信号处理、功率控制还是高温稳定性方面,这款NPN三极管均表现出色。通过合理的设计与应用,电子工程师可以充分发挥其在现代电子设计中的优势,提升产品的整体性能和可靠性。