类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 104A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@54A,10V |
功率(Pd) | 200W;3.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 130nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
IRL2505SPBF 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET,具备卓越的电气特性和广泛的应用范围。这款 MOSFET 由知名品牌英飞凌(Infineon)制造,在 D2PAK 封装中提供了出色的散热能力,适用于各种高功率和高频开关电源、电机驱动以及其他要求高效能的电子设计。
功率耗散: IRL2505SPBF 的最大功率耗散能力为 3.8W(在环境温度 Ta 下),而在结温 Tc 的条件下,其功率耗散可达 200W。这使得该型号 MOSFET 能够在高负载条件下工作,并实现可靠的性能。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围可达 -55°C 至 175°C,使其适合于极端环境下的应用,确保在严酷条件下依然保持稳定性和可靠性。
漏源电压 (Vdss): 最大漏源电压为 55V,使其能够有效控制电流高达 104A,确保其在多种应用场景中的实用性。
输入电容 (Ciss): 在最高 25V 的条件下,该器件的输入电容最大值为 5000pF。这对于高频应用中的开关速度至关重要,较低的输入电容能够加快开关速度,减少开关损耗。
导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下,其导通电阻最大值为 8 毫欧(在 54A 的条件下),这意味着该 MOSFET 在开启状态下的功率损耗非常低,从而提高了整体效率。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷值为 130nC (在 5V 的栅极电压下),这一特性使其在快速开关应用中表现良好。
高效率: 由于其低导通电阻和低开关损耗,IRL2505SPBF 适用于高效率的电源转换系统。运用 MOSFET 的高开关频率能够显著降低能量损耗,在各种电气应用中都表现出色。
强大的电流承载能力: 本器件具有高达 104A 的连续漏极电流能力,适合各种需要大电流的应用场景,如电机驱动、DC-DC 转换器及高频逆变器。
宽广的工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C 的工作温度范围为其在汽车、电信和工业控制等严苛环境中提供了良好的适应性。
良好的散热性能: D2PAK 封装具备很好的散热性能,能够有效降低器件温度,提升器件的使用寿命和可靠性。
简化设计: 由于其优化的性能特性和宽泛的适用性,采用 IRL2505SPBF 的电路设计可以显著简化,缩短开发周期。
IRL2505SPBF 在许多高电流和高功率的电子设备中找到应用,包括:
开关电源: 在各种开关电源设计中作为开关器件,能够提供高效的电能转换与管理能力。
汽车电子: 适用于电动汽车中的动力控制和电源管理系统。
电机驱动: 适合用于直流电机及步进电机的驱动和控制系统,能够支持高负荷环境下的持续运行。
工业自动化: 用于各种工业控制系统中,确保设备在长时间、高强度的工作下保持稳定。
消费电子: 在各种高性能消费电子产品中,例如便携式音响、功率放大器等领域,IRL2505SPBF 都能发挥其优越的性能。
IRL2505SPBF N 沟道 MOSFET 是一款高度可靠且性能卓越的电子元器件,适用于多种严苛环境下的应用。其优良的导通电阻、功率承载能力以及宽广的工作温度范围,使其成为现代高效能电子系统中理想的选择。无论是在汽车电子还是工业自动化领域,IRL2505SPBF 都能为设计师带来更高的效能和更强的竞争力。