NTD14N03RT4G 产品实物图片
NTD14N03RT4G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NTD14N03RT4G

商品编码: BM0084407599
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
DPAK-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.04W;20.8W 25V 2.5A 1个N沟道 DPAK-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.63
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.63
--
100+
¥3.03
--
1250+
¥2.75
--
2500+
¥2.63
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

NTD14N03RT4G参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)14A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)130mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)20.8W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.8nC@5V输入电容(Ciss@Vds)115pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)33pF@20V工作温度-55℃~+150℃

NTD14N03RT4G手册

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NTD14N03RT4G概述

产品概述:NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G是一种高性能N通道MOSFET,由知名半导体制造商ON Semiconductor(安森美)生产。此器件专为各种电子应用设计,特别是在需要高效功率管理和开关控制的场景下。它采用DPAK封装,便于表面贴装(SMD),为用户提供了更高的设计灵活性和系统集成度。

1. 关键参数

1.1 电气特性

NTD14N03RT4G在25°C时具有持续漏电流(Id)最大2.5A,能够在高达25V的漏源电压(Vdss)下稳定工作。这使得NTD14N03RT4G非常适合用于DC-DC转换器、开关电源和马达驱动电路等应用。

1.2 导通电阻

该器件在10V的栅源电压下,最大导通电阻(Rds(on))仅为95毫欧(@5A),这意味着在开关状态下保持较低的功耗和热损耗,从而提高整体效率。此外,该MOSFET的输入电容(Ciss)最大115pF(@20V),提供快速的开关响应,适合高频应用。

1.3 栅极阈值电压

NTD14N03RT4G的栅极阈值电压(Vgs(th))为2V(@250µA),使得它能在较低的栅源电压下开始导通,有助于在低电压条件下有效运作,这对低功耗设备尤为重要。

2. 机械特性与符号

2.1 封装类型

NTD14N03RT4G采用的是DPAK-3封装,尺寸紧凑,适合高密度电路板设计。此封装不仅提供良好的散热性能,还方便自动化贴装。

2.2 工作温度范围

工作温度范围广泛,从-55°C到150°C(TJ),确保该MOSFET能够在各种严苛环境条件下稳定工作,适合多种工业及消费电子产品。

3. 应用领域

由于其优异的性能,NTD14N03RT4G广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • DC-DC电源转换器:在进行电压转换时,保持高效率和小面积。
  • 开关电源:提供高效的电力管理,降低由于能量损失而产生的热量。
  • 马达驱动器:能够承受瞬时高电流负载,适用于电动车、家用电器等场合。
  • 便携式电子产品:由于其低功耗特性,特别适合电池供电的设备。
  • 不间断电源(UPS):在电源故障时,保持设备的稳定运行。

4. 总结

NTD14N03RT4G是一个功能强大的N通道MOSFET,具备高效率、低导通电阻和宽广的工作温度范围,适合各种电源管理和开关应用。无论是在工业设备还是消费电子产品中,它的出色性能都能够满足要求高效能与小型化设计的挑战。凭借其可靠性和高性价比,NTD14N03RT4G是一款非常理想的选择,对于设计工程师和产品开发人员而言,它提供了良好的性能和可靠的解决方案。