NTZD3155CT1G

NTZD3155CT1G 产品概述

一、基本信息

NTZD3155CT1G 是一款高性能的场效应管（MOSFET），由安森美半导体（ON Semiconductor）推出，采用SOT-563封装，适用于表面贴装的多种电子应用。该器件集成了一对N沟道和P沟道MOSFET，具有出色的电气性能和可靠性，非常适合于逻辑电平控制和开关应用。

二、核心参数

1. 沟道类型：NTZD3155CT1G 由一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET 组成，适用于双极性电源电路和互补推挽配置。

2. 漏源电压（Vdss）：其漏源电压最高可达到20V，适用于低电压应用。

3. 电流处理能力：

   • N沟道最大连续漏极电流（Id）：540mA（典型值），430mA（最大值）。
   • P沟道的电流规格类似，能够满足各类低功率负载的需求。

4. 导通电阻（Rds(on)）：在4.5V的栅源电压下，540mA电流时的最大导通电阻为550毫欧，这表明该器件在工作过程中的功耗较低，能够提高整体电路的效率。

5. 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在4.5V条件下，最大阈值电压为1V@250µA，确保了在低电平对MOSFET的有效控制，提升了电路的集成度和灵活性。

6. 栅极电荷（Qg）：在4.5V的栅源电压下，最大栅极电荷为2.5nC，能够实现快速开关操作，适用于高频PWM信号等应用场景。

7. 输入电容（Ciss）：在16V的条件下，最大输入电容为150pF，这有助于降低开关损耗，并增强驱动电路的响应速度。

8. 功率/散热能力：器件功率最大为250mW，能够在多个应用环境下运行，具备良好的散热特性，支持较高的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)，适合汽车和工业环境等高温高负载条件。

三、适用场合

NTZD3155CT1G 被广泛应用于逻辑电平开关、负载驱动、DC-DC转换器、开关电源以及各种小型电机控制等应用。其出色的电气特性，使得该元器件在提升系统效率和降低功耗等方面具有明显的优势。由于其良好的热性能和稳健的工作范围，适合在恶劣环境条件下使用，如汽车电子和军事装备等。

四、封装与安装

本器件采用SOT-563封装，专为表面贴装设计，适合自动化生产，能够提高生产效率及组装质量。小型化的封装方式也有助于电路板的空间优化，使得设计更为紧凑，符合现代电子设备对小型化的需求。

五、总结

NTZD3155CT1G 作为一款高效能的MOSFET器件，结合了多种先进特性，凭借其低导通电阻、快速开关能力及广泛的工作温度范围，成为各种电子设备中不可或缺的一部分。其出色的电气性能及应用灵活性，使得它在众多电气设计中占有重要地位，是工程师在选择MOSFET时的理想选择。安森美的品牌效应和强大的技术支持更为其提供了额外保障。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子中，NTZD3155CT1G 都能为设计带来性能的提升与创新的可能性。