类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 25A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 37mΩ@15A,10V |
功率(Pd) | 57W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 710pF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
IRLR3105TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,由全球领先的半导体制造公司 Infineon(英飞凌)生产。该器件设计用于高效能的开关应用,广泛适用于电源管理、马达驱动、汽车电子及其他需求较高的电子设备。IRLR3105TRPBF 提供了出色的导通性能和可靠的电气特性,非常适合用于各种开关电源、DC-DC 转换器及功率放大器等电路中。
基本特性
导通特性
栅极特性
电容特性
功率与热管理
安装与封装
IRLR3105TRPBF 主要应用于以下领域:
IRLR3105TRPBF 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,通过其卓越的电气性能和广泛的应用范围,为设计工程师提供了更高的设计灵活性。其低导通电阻、优异的热管理特性以及适应恶劣环境的能力,使其成为高功率应用领域中的理想选择。无论是电源管理、马达控制还是汽车电子,IRLR3105TRPBF 都能够满足现代电子设计的各种需求,是高性能开关应用的可靠选择。