IPP90R1K2C3XKSA1
IPP90R1K2C3XKSA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 停產 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 310µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 710pF @ 100V |
IPP90R1K2C3XKSA1手册
IPP90R1K2C3XKSA1概述
产品概述：IPP90R1K2C3XKSA1 (Infineon CoolMOS™ N-Channel MOSFET)
一、基本信息
IPP90R1K2C3XKSA1 是由知名半导体制造商Infineon Technologies推出的一款高性能 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）。该器件属于CoolMOS™系列，专为高电压、高功率应用而设计。虽然该产品当前已停产，但其独特的性能特征和广泛的应用场景，使其在电源管理和电子设备中依然具有一定的参考价值。
二、主要参数
工作电压与电流：这款MOSFET具有900V的漏源电压（Vdss），可承受高电压条件下的应用，相对较高的25°C时连续漏极电流（Id）为5.1A（Tc）。
导通电阻：在2.8A和10V时，最大导通电阻（Rds On）为1.2Ω，这使得其在工作时具有较低的功耗，提升了整体效率。
栅极电压：该器件的最大栅源电压（Vgs）为±20V，适用于多种电压驱动方案。同时，在310µA下，其栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为3.5V，展现出良好的开关特性。
功率耗散：IPP90R1K2C3XKSA1的最大功率耗散为83W（Tc），使其适用于需要高功率处理的电路设计。
工作温度：器件能够在极端环境下工作，温度范围为-55°C到150°C（TJ），这使其在恶劣条件下依然保持优越的性能。
封装形式：该MOSFET采用TO-220-3封装，具有良好的散热性能和便于安装的优势，适合于多种电路板配置。
三、应用场景
虽然IPP90R1K2C3XKSA1已经停产，但其设计理念和性能使得其在多种应用场景中广泛采用，主要包括但不限于：
开关电源：在高电压开关电源中，低导通电阻和高功率耗散能力使其能够有效地进行能源管理，提升系统整体的电能转换效率。
电机驱动：该MOSFET能够用于电机驱动电路，在需要高效能和稳定性能的同步电机控制中扮演重要角色。
工业控制系统：在需要高电压、高电流的工业应用中，IPP90R1K2C3XKSA1能够提供稳定的控制信号，确保系统可靠性。
电源管理设备：该器件适用于各种电源管理设备，从而实现更高的能效和更低的热量散发。
四、总结
IPP90R1K2C3XKSA1 N-Channel MOSFET是Infineon Technologies推出的一款高性能电子元器件，具有900V的高漏源电压、优异的导通电阻及功率处理能力，适合高电压及高功率应用。尽管该产品已停产，但在众多电子设计和应用中，其特性依然具有深远的影响。开发人员和设计师可以从其数据中获得的重要设计参考，从而选择适合其项目需求的替代产品。
在未来的电子设计中，对高性能、低损耗电子元件的需求将不断增长，以满足日益严苛的能效标准和应用场景。尽管IPP90R1K2C3XKSA1已经成为历史，但其所代表的CoolMOS™技术理念依旧将引领高效能电源设计的发展趋势。