SIA108DJ-T1-GE3

SIA108DJ-T1-GE3 产品概述

1. 产品简介

SIA108DJ-T1-GE3 是由Vishay Siliconix公司制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于其 TrenchFET® Gen IV 系列。这款场效应管以其卓越的电流处理能力和低导通电阻而著称，广泛适用于电源管理、功率转换以及各种开关应用。

2. 基本参数

• 制造商: Vishay Siliconix
• 产品系列: TrenchFET® Gen IV
• 零件状态: 有源
• FET 类型: N 通道
• 封装类型: PowerPAK® SC-70-6
• 包装: 卷带（TR）

3. 性能指标

SIA108DJ-T1-GE3 在多个关键参数上表现出色，确保其在严苛环境下的可靠性和高效能：

• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，该MOSFET的连续漏极电流达到 6.6A（空气温度）及 12A（设备温度）。这一特性使其能够在较高负载条件下稳定工作。

• 导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs 为 10V 时，于 Id 为 4A 的情况下，最大导通电阻仅为 38 毫欧。低导通电阻对于减少在开关过程中的功耗至关重要，帮助提升整体系统效率。

• 漏源/栅极电压 (Vgs): 本设备最大可承受漏源电压达到 80V，对于高电压应用具有良好的适应性。

• 工作温度范围: SIA108DJ-T1-GE3 的工作温度范围为-55°C 至 150°C，使其在极端环境下依然能够可靠运行，符合多种工业与消费类应用需求。

4. 电气特性与可靠性

• 功率耗散: 在 Ta 的情况下，SIA108DJ-T1-GE3 的最大功率耗散为 3.5W，而在 Tc 的条件下则可达到 19W，展现出极佳的散热能力。

• 栅极电荷 (Qg): 在 Vgs 为 10V 条件下，栅极电荷的最大值为 13nC，这个较低的栅极电荷值使得开关速度变快，有助于提高电路的响应时间，尤其在高频应用中极为重要。

• 输入电容 (Ciss): 在 Vds 为 40V 的情况下，输入电容最大值为 545pF，适合用于高速开关电路，减少信号延迟。

5. 应用场景

SIA108DJ-T1-GE3 的多项特性使其适合于多种应用场合，包括但不限于：

• DC-DC 转换器: 无论是标准电源还是高效电源管理系统，这款 MOSFET 都可以作为高效开关元件使用。

• 电机驱动: 在电机控制系统中，借助其高电流处理能力与快速开关特性，提升整体驱动效率。

• LED驱动电路: 本产品也适合用作 LED 驱动电路中的开关器件，以实现更好的光效和能耗控制。

• 便携式产品: 由于其小巧的封装和优越的性能特性，非常适合用于便携设备中，提供可持续的电源供应。

6. 结论

综上所述，SIA108DJ-T1-GE3 是一款性能优异、灵活性高的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流输出及广泛的工作温度范围，成为众多电子应用中的理想选择。无论在消费电子还是工业设备领域，Vishay Siliconix 的这款 MOSFET 均展现出卓越的性能与可靠性。选择 SIA108DJ-T1-GE3，为您的电子设计项目提供优质的解决方案，从而实现更高的运行效率和稳定性。