SIRA10BDP-T1-GE3

产品概述：SIRA10BDP-T1-GE3 N 通道 MOSFET

一、基本介绍

SIRA10BDP-T1-GE3 是 VISHAY（威世）公司推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），封装为 PowerPAK® SO-8，专为各种电源管理和开关应用设计。该器件的主要特点包括较高的漏源电压（Vds）和连续漏极电流（Id），以及超低的导通电阻（Rds(on)），使其在高效能和高可靠性方面表现优越。

二、技术参数

1. 漏源电压（Vds）：该 MOSFET 支持最大漏源电压为 30V，适合用于低至中等电压的应用场合。
2. 连续漏极电流（Id）：在环境温度为 25°C 时，器件的连续漏极电流为 30A，而在更高的散热条件下（比如在结温为 Tc 的情况下），可达 60A。
3. 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅源电压（Vgs）下，器件的导通电阻最大值为 3.6 毫欧（mΩ）@ 10A，确保了其在高电流应用中的低功耗和低热量产生。
4. 栅源电压（Vgs）：该 MOSFET 的栅源电压范围为 +20V（最大）和 -16V（最小），适配多种驱动器的输出。
5. 门极电荷（Qg）：在 10V 时，门极电荷为最大 36.2nC，这意味着在高频开关应用中的快速响应能力。

三、工作特性

SIRA10BDP-T1-GE3 具有宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C 的环境适应能力，使其适合于苛刻的工作条件。这一特性确保了器件在各种工业和汽车应用中的可靠性。此外，其功率耗散能力：在环境温度下最大为 5W，结温下为 43W，这为散热设计提供了更多自由度。

四、应用场合

SIRA10BDP-T1-GE3 适用于多种应用场景，包括：

• DC-DC 转换器：用于高效的电源转换，降低能耗，优化电源系统的整体效能。
• 电动汽车：作为电动汽车驱动系统中的关键元器件，以实现高效功率传输。
• 电源管理系统：用于各种电源管理应用，包括充电电路和功率及时分配。
• 开关电源：通过降低导通损耗，提高系统的整体效率。

五、产品优势

1. 高性能：低导通电阻与高工作电流，使其在高效率和高性能应用中表现出色。
2. 热管理能力：高功率耗散限制使得设备即使在高负载情况下也能保持稳定的工作温度。
3. 灵活性：广泛的工作温度范围和高电压承受能力，适应了各种严苛环境和应用需求。

六、总结

总体来说，SIRA10BDP-T1-GE3 作为一款高效能的 N 通道 MOSFET，不仅在性能上满足了现代电子设计对电源管理和开关控制的需求，同时凭借其优越的热管理和工作温度适应性，为多种工业应用提供了可靠的解决方案。无论是在家电、通信、再生能源还是汽车电子行业，它都表现出强大的竞争力，是工程师选型时值得考虑的优质产品。