类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 15A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
IRF7455TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon Technologies)制造的高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),属于 HEXFET® 系列。该器件采用表面贴装型(SMD)设计,封装规格为 8-SOIC,具有出色的电子特性和广泛的应用潜力。
IRF7455TRPBF 可广泛应用于以下场景:
IRF7455TRPBF 采用 8-SOIC(Small Outline Integrated Circuit)封装,具有较小的占板面积,适合高密度电路板的设计。该器件的卷带(TR)包装形式也便于自动化贴装,减少生产成本与工艺复杂性。
总体而言,IRF7455TRPBF 是一款兼具高效能、广泛适用性和优良性能的 N 通道 MOSFET,适合现代电子设备中的多种应用。其低导通电阻、高电流处理能力和宽广的工作温度范围,使其成为高性能电源管理和驱动解决方案的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是电机控制系统中,IRF7455TRPBF 都能为设计师带来可靠性和效率,为各种电源和驱动电路提供出色的支持。