集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 246mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5.0mA,10V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.4V@1.0mA,0.2V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 700mV@100uA,5.0V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV | 输入电阻 | 10kΩ |
电阻比率 | 0.21 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SMMUN2114LT1G是一款高性能的PNP数字晶体管,其主要应用于开关和放大电路中。这种元器件采用表面贴装型(SMD)封装,符合现代电子设备对体积和性能的要求,具有良好的热管理性能和电气特性。作为ON Semiconductor(安森美)推出的一款数字晶体管,SMMUN2114LT1G凭借其优越的参数表现,成为众多电路设计师的首选元件。
SMMUN2114LT1G采用SOT-23-3(TO-236)封装,适合表面贴装,同时因其小巧的设计使其在空间受限的应用中,如移动设备、便携式电子产品等,展现出良好的适用性和灵活性。这一封装类型不仅便于自动化生产线的安装,也有助于提高整个电路板的集成度。
SMMUN2114LT1G适用于广泛的应用领域,包括:
SMMUN2114LT1G是一款功能强大,性能优秀的PNP数字晶体管,广泛应用于现代电子设备的各个领域。它的高集电极电流容量、良好的电流增益特性以及兼容的封装方式,使其成为开关和放大电路设计的理想选择。选择SMMUN2114LT1G,将为设计者提供更高的设计灵活性和系统可靠性,助力实现更复杂的电路应用。