晶体管类型 | NPN+PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 357mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 150@10uA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 5uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BC847BPDXV6T1G是一款由ON(安森美)公司生产的NPN/PNP型双极性晶体管(BJT),采用SOT-563封装,广泛应用于各种电子电路中。该晶体管具有优异的电气性能和可靠性,适合用于大多数低功耗信号放大和开关应用。这款器件的设计考虑了高频性能和宽工作温度范围,使其成为多种电子项目的理想选择。
BC847BPDXV6T1G晶体管广泛应用于各种电子设备和系统中,包括但不限于:
BC847BPDXV6T1G采用SOT-563封装,这是一种常见的表面贴装型封装,具有较小的占板面积和良好的散热性能。该封装不仅适合于自动化生产,还方便在高密度电路板上进行组装,且易于与其他元器件进行组合,从而实现更复杂的电路设计。
BC847BPDXV6T1G晶体管是一款高性能、适应性强的双极性晶体管,结合了高电压、高电流以及广泛的频率范围,提供了令人满意的增益和低功耗特性。无论是在消费者电子、工业控制,还是在特殊应用如航空航天和汽车电子中,均能发挥出卓越的性能。由于其优良的工作温度范围和稳定性,这一产品适合于各种要求苛刻的应用场景。ON(安森美)的品牌背景更是为该器件的质量和可靠性提供了强有力的保证。对于需要高性能信号处理和低功耗解决方案的设计人员而言,BC847BPDXV6T1G无疑是一个值得考虑的选项。