驱动配置 | 半桥 | 负载类型 | MOSFET;IGBT |
驱动通道数 | 2 | 峰值灌电流 | 500mA |
峰值拉电流 | 250mA | 电源电压 | 10V~20V |
上升时间 | 85ns | 下降时间 | 35ns |
工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) |
NCP5104DR2G 是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款强大且高效的半桥驱动器,特别适用于各种需求高电压与高频开关的应用。这款驱动器的设计目标是优化对IGBT和N沟道MOSFET的控制,以实现高效的功率转换与能源使用。
驱动配置与通道类型
接口与逻辑电压
供电电压与高压侧电压
输出能力
上升/下降时间
工作温度范围
封装设计
NCP5104DR2G的设计使其适用于广泛的应用场景,包括:
开关电源(SMPS):在AC-DC转换中,NCP5104的高压能力与快速切换性能,提升了电源的效率与稳定性。
过电压保护:在需要承受高电压、快速开关的电路中,NCP5104能够有效保护电路元件,延长设备寿命。
电动机驱动:用于驱动直流电机及步进电机,特别是在要求精确控制与快速响应的应用中,NCP5104表现出色。
电池管理系统:具备高电压开关能力的NCP5104能实现高效的电池充电和放电控制,支持电池组的最佳性能。
综上所述,NCP5104DR2G是一款功能强大、性能可靠的半桥驱动器,凭借其广泛的电压范围、快速的开关时间和优秀的温度适应性,能够满足各类高性能电子应用的需求。安森美凭借其先进的工艺与设计理念,为工程师们提供了一个无论是在效率、稳定性还是在集成度上均表现出色的解决方案,适合各类现代电子设备的设计与开发。