二极管配置 | 独立式 | 正向压降(Vf) | 520mV@10mA |
直流反向耐压(Vr) | 30V | 整流电流 | 200mA |
反向电流(Ir) | 13nA@25V |
MMBD301LT3G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)出品的肖特基二极管,具有独特的性能特点,广泛应用于电子设备的电源管理、信号整形和整流电路中。这款二极管适合在高频和低电压应用场景中使用,凭借其优秀的特性,能够满足现代电子产品对效率和稳定性的严苛要求。
二极管类型:肖特基 - 单
电压 - 峰值反向(最大值):30V
不同 Vr、F 时的电容:1.5pF @ 15V,1MHz
功率耗散(最大值):200mW
工作温度范围:-55°C ~ 125°C (TJ)
封装类型:SOT-23-3(TO-236)
正向压降:520mV @ 10mA
整流能力:200mA
MMBD301LT3G 产品的设计定位使其广泛应用于多种领域,其中包括但不限于:
电源管理:
信号整形:
汽车电子:
消费电子:
MMBD301LT3G 肖特基二极管以其优异的电气性能和广泛的应用范围,成为了市场上颇具吸引力和竞争力的器件之一。它的设计理念不仅关注于效率,更兼顾了稳定性与耐用性,能够满足各类电子产品在高效能和可靠性方面的需求。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域,MMBD301LT3G都是设计工程师的首选器件之一。