SIRA12BDP-T1-GE3
SIRA12BDP-T1-GE3参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.3mΩ@10V,27A |
| 功率(Pd) | 5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.47nF@15V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIRA12BDP-T1-GE3手册
SIRA12BDP-T1-GE3概述
产品概述：SIRA12BDP-T1-GE3
基本信息
SIRA12BDP-T1-GE3是一款高性能的N通道MOSFET，充分体现了VISHAY（威世）在场效应金属氧化物技术方面的领导地位。这款元器件采用了创新的PowerPAK® SO-8封装，非常适合高密度电路的应用，为设计师和工程师提供了良好的散热性能与可靠的电气特性。
关键参数
漏源电压（Vdss）：SIRA12BDP-T1-GE3的最大漏源电压为30V，适合在中等电压范围内工作的各种应用。
连续漏极电流（Id）：该MOSFET在25°C环境温度下能够持续承受高达27A的漏极电流，在更优的工作条件下（如Tc=25°C 时的电流散热）可达到60A，这为大电流应用提供了强有力的支持。
驱动电压（Vgs）：SIRA12BDP-T1-GE3支持4.5V和10V的驱动电压，兼容多种逻辑电平信号，适用于不同的驱动电路构建。
导通电阻（Rds On）：在10V的栅极驱动下，最大导通电阻为4.3毫欧，确保了低功耗和高效能，相应的节能效果显著。
门槛电压（Vgs(th)）：在250µA的漏电流下，最大栅源阈值电压为2.4V，能够在较低的栅电压下实现开关控制，增强了与其他电路的兼容性。
栅极电荷（Qg）：在10V的栅源电压下，栅极电荷值最大为32nC，表明该器件在开关过程中产生的能量损耗较小，从而提高了开关频率。
输入电容（Ciss）：在15V条件下，输入电容最大值为1470pF，为高频应用提供支持，降低了开关时的延迟。
功率耗散：该设备在环境温度下的最大功率耗散为5W，在更佳散热条件下可提升至38W，这使得SIRA12BDP-T1-GE3能在各种环境下稳定运行。
工作温度范围：产品支持的工作温度范围广泛，从-55°C至150°C，增强了其在极端条件下的适应能力。
应用场景
SIRA12BDP-T1-GE3的特性使其广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理：在直流-直流转换器（DC-DC）和开关电源（SMPS）中作为主开关元件，支持高效电源转换和管理。
电机驱动：适合用于电机驱动控制，能够高效控制电机的开关与调速，提高系统整体功率效率。
汽车电子：期望在汽车电子产品中的高可靠性与长寿命表现，适用于电源分配、照明和电动汽车等应用。
消费电子：可以用于平板电视、液晶显示器等设备中的电源管理和驱动应用，提升设备的性能与寿命。
总结
综上所述，SIRA12BDP-T1-GE3是VISHAY推出的一款高效能、高可靠性的N沟道MOSFET，凭借其广泛的电气特性和优秀的热性能，成为设计工程师在多个高要求应用中理想的选择。无论是电源转换、电机控制还是汽车电子，这款元件均能够提供稳定的性能与出色的功率管理效果，是现代电子设计中的重要组成部分。