NSVMUN5333DW1T1G
NSVMUN5333DW1T1G参数
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 187mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5.0mA,10V |
| 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.3V@5.0mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 600mV@100uA,5.0V |
| 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV | 输入电阻 | 4.7kΩ |
| 电阻比率 | 0.1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
NSVMUN5333DW1T1G手册
NSVMUN5333DW1T1G概述
NSVMUN5333DW1T1G 产品概述
产品背景
NSVMUN5333DW1T1G 是由 ON Semiconductor 制造的一款数字晶体管，适用于多种电子电路和系统。该产品在设计上融合了 NPN 和 PNP 晶体管，形成了一个预偏置的双晶体管封装。它的合理设计使其在多种应用场合展示出优越的性能，特别是在低功耗和小型化电路设计中，受到工程师们的广泛青睐。
主要规格
- 制造商: ON Semiconductor
- 包装类型: 卷带（TR）
- 晶体管配置: 1 个 NPN 和 1 个 PNP（预偏置式）
- 最大集电极电流 (Ic): 100mA
- 集射极击穿电压 (Vce): 50V
- 基极电阻 (R1): 4.7kΩ
- 发射极电阻 (R2): 47kΩ
- DC 电流增益 (hFE): 最小值为 80，在 5mA 和 10V 的工作条件下
- Vce 饱和压降: 最大值为 250mV，在 1mA 和 10mA 的条件下
- 集电极截止电流 (Ie): 最大值 500nA
- 额定功率: 最大 250mW
- 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
- 封装类型: SOT-363
设计特性与优势
NSVMUN5333DW1T1G 的设计旨在实现高效的电流控制和稳定的系统工作。其内置的预偏置配置允许在较低电流的情况下有效地驱动负载，同时大幅降低功耗，这对于电池供电设备尤其重要。此外，该产品的最大集电极电流可达到100mA，这使得它能在许多应用中稳定工作，而其最大功率可达 250mW，则进一步提升了其可靠性。
应用场景
NSVMUN5333DW1T1G 由于其优异的电气特性，适合于多种应用，包括但不限于：
自动控制系统: 在数字电路脑中，NSVMUN5333DW1T1G 可用于开关控制，信号调理以及微控制器与外部设备之间的接口应用。
功率管理: 此晶体管应用广泛于功率调节和电源管理模块中，能够高效地调节负载并提供稳定的输出电压。
消费电子: 如手机和平板电脑中的音频放大器和信号处理电路，它的空间效率和低功耗特性非常适合此类应用。
传感器驱动: 可用于驱动小型传感器，确保传感器能够在较小功耗下正常工作。
启停控制: 在家电及智能设备中，NSVMUN5333DW1T1G 可用作启停开关，帮助改善能效。
结论
NSVMUN5333DW1T1G 是一款极具竞争力的双晶体管解决方案，凭借其兼具高集电极输出电流、低功耗和高功率的特性，使其在现代电子设备的设计中展现出巨大的潜力。无论是在消费电子、控制系统还是功率管理领域，NSVMUN5333DW1T1G 都可以为设计人员提供所需的灵活性和可靠性，有助于提升终端产品的整体性能和市场竞争力。随着小型化、高效能电子产品需求的持续增长，NSVMUN5333DW1T1G 将会越来越多地成为设计工程师的首选。