DTC143EET1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC143EET1G

商品编码: BM0092122946
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SC-75,SOT-416
包装 : 
编带
重量 : 
0.012g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SC-75-3
库存 :
5342(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.346
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.346
--
200+
¥0.224
--
1500+
¥0.194
--
3000+
¥0.172
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC143EET1G参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)15@5.0mA,10V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)2.5V@20mA,0.3V最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.2V@100uA,5.0V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)200mV输入电阻4.7kΩ
电阻比率1工作温度-55℃~+150℃

DTC143EET1G手册

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DTC143EET1G概述

DTC143EET1G 产品概述

产品简介

DTC143EET1G 是一种高性能的数字晶体管,采用 NPN 结构设计,适用于多种电子应用场合,特别是低功耗和高密度空间的电子设计。它具有预偏压特性,能够有效简化电路设计并提高工作效率。作为 ON Semiconductor(安森美)旗下的一款优秀产品,DTC143EET1G 在电流和电压方面提供了良好的适应性,适合在广泛的电气环境中稳定工作。

基础参数

DTC143EET1G 的关键参数包括:

  • 晶体管类型:NPN – 预偏压
  • 电流 – 集电极 (Ic):最大值为 100mA,满足常见的信号放大和开关应用需求。
  • 电压 – 集射极击穿 (Vce):最大值为 50V,适用于多种电源电压场合。
  • 基极电阻 (R1)发射极电阻 (R2) 均为 4.7 kOhms,这使得该晶体管能够很好地控制基极电流,提高了电路的可靠性。
  • 直流电流增益 (hFE):在 Ic 为 5mA、Vce 为 10V 时,最小值为 15,确保信号放大的有效性。
  • Vce 饱和压降:在 Ib 为 1mA、Ic 为 10mA 时,最大值为 250mV,降低了功耗并提高了系统的效率。
  • 集电极截止电流 (Ic cutoff):最大值为 500nA,确保了良好的开关特性。

这些参数使 DTC143EET1G 成为各种电子产品,尤其是在电源管理、信号处理和开关控制领域的理想选择。

物理特性与封装

DTC143EET1G 采用 SC-75(也称为 SOT-416)表面贴装型封装,具有超小的尺寸,这对于现代紧凑型电子设备至关重要。封装的小巧设计使其能够在空间有限的电路板上实现高密度布置,同时也提供了良好的散热性能。该封装的广泛应用使 DTC143EET1G 在市场上有着良好的兼容性,便于快速集成到各种电子产品中。

应用领域

DTC143EET1G 广泛应用于多种电子领域,尤其适用于以下几个方面:

  1. 消费电子:在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,用于信号放大、开关和电源管理功能,保障设备的高性能和低功耗。

  2. 工业控制:在自动化设备和控制系统中,DTC143EET1G 提供可靠的信号处理能力,确保在高负荷条件下的稳定性能。

  3. 汽车电子:在车载应用中,该晶体管可用于开关控制和信号放大,为汽车电子系统提供必要的支持,如在电动座椅、车灯控制和发动机管理系统中发挥作用。

  4. 通信设备:在各种通信设备中,DTC143EET1G 可以用于模拟信号的处理和放大,支持高质量信号传输。

结论

DTC143EET1G 是一款高效、可靠的 NPN 数字晶体管,通过其出色的电性能和适应性广泛应用于多个电子领域。它的设计符合现代电子行业不断提升的技术需求,尤其在功耗和空间限制方面表现出色。无论是消费类电子产品、汽车电子还是工业应用,DTC143EET1G 都能为设计师带来价值,为产品的功能及稳定性保驾护航。随着电子产品向更小型、高性能方向发展,DTC143EET1G 的市场需求将持续增长。