晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 60@0.1mA,1.0V | 特征频率(fT) | 250MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
SMMBT3906LT3G 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款高性能PNP型晶体管,采用SOT-23封装(TO-236),广泛应用于各种电子电路中。它具有出色的电气特性,包括高电流增益和快速的频率跃迁能力,使其成为低功耗应用的理想选择。
晶体管类型:PNP
集电极电流 (Ic):
集射极击穿电压 (Vce):
饱和压降 (Vce(sat)):
直流电流增益 (hFE):
功率:
跃迁频率:
工作温度:
封装:
SMMBT3906LT3G广泛应用于以下几个领域:
通信设备:
消费电子:
工业控制:
汽车电子:
SMMBT3906LT3G是一款高效、稳定的PNP晶体管,因其出色的电气性能和广泛的应用范围,在电子设计中受到工程师的广泛青睐。无论是在通信、消费电子、工业控制还是汽车电子领域,其可靠性与性能都能满足应用要求,使其成为设计师的首选元件之一。