晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 250@500mA,1.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SBC807-40LT1G 是一款高性能的PNP型三极管,广泛应用于低功耗电子设备的信号放大和开关电路中。它由著名的ON(安森美)半导体公司制造,采用SOT-23-3(TO-236)封装,具有紧凑的尺寸和高效的性能表现。其能够承受高达500mA的集电极电流及45V的集射极击穿电压,使其成为多种高频和低电压应用的理想选择。
SBC807-40LT1G的核心参数包括:
SBC807-40LT1G适用于广泛的电子应用场景:
SBC807-40LT1G采用SOT-23封装,具有以下优势:
总而言之,SBC807-40LT1G是一个高性能、功能强大而又灵活的PNP晶体管,凭借其良好的电流增益、宽广的工作温度范围以及高效的饱和特性,在很多电子电路中都能发挥重要作用。不论是应用于消费电子、工业设备还是汽车电子,该三极管均表现出色,是满足各种设计要求的理想选择。配合ON(安森美)卓越的品牌声誉,SBC807-40LT1G无疑是寻找可靠和高效元器件设计师的首选。