类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 7.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 105mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.2nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 969pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 44pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP6110SVT-7 是一款由美台(DIODES)公司生产的高性能P沟道MOSFET,专为各种电源管理与开关应用而设计。该器件在高达60V的漏源电压(Vdss)和7.3A的连续漏极电流(Id)下工作,具有优秀的电气特性和可靠性。其低电阻导通特性以及广泛的工作温度范围,使其适用于各种工业和消费电子产品中,对电源效率有较高要求的场合。
DMP6110SVT-7的主要技术参数如下:
这些参数使得DMP6110SVT-7在负载开关、直流-直流转换器和马达控制等应用中具备显著的优势。
DMP6110SVT-7适用于多种应用领域,包括但不限于:
DMP6110SVT-7产品具有以下性能优势:
DMP6110SVT-7是一款功能强大的P沟道MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的工作温度范围,成为多种电子应用的理想选择。无论是在电源管理、电机控制还是负载开关领域,它都表现出色。对于寻求高效、可靠且空间节省的解决方案的设计师和工程师而言,DMP6110SVT-7无疑是一个值得信赖的选择。随着电子设备对高效能和高可靠性的需求不断增加,DMP6110SVT-7将在未来电子设计中发挥关键作用。