AOD409 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AOD409

商品编码: BM0093065105
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.483g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;60W 60V 26A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
2638(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.38
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.38
--
2500+
¥1.32
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD409参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)26A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@4.5V,20A
功率(Pd)60W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)28nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)3.6nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)153pF@30V工作温度-55℃~+175℃

AOD409手册

AOD409概述

AOD409 产品概述

产品背景

AOD409是由AOS公司推出的一款高性能P沟道场效应管(MOSFET),采用TO-252封装,设计上旨在满足高效电源转换、负载开关及其他电子电路应用的需求。这款器件以其优越的性能参数以及相对紧凑的封装设计,成为现代电子设备中广泛应用的选择之一。

主要参数

  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id)以(25°C时): 26A
  • 栅源极阈值电压: 2.4V @ 250μA
  • 漏源导通电阻: 40mΩ @ 20A, 10V
  • 最大功率耗散: 2.5W (Ta=25°C)
  • 类型: P沟道
  • 封装: TO-252 (DPAK)

性能分析

AOD409的漏源电压为60V,适合用于需要中等电压控制的应用场合。同时,26A的连续漏极电流保证了其在较大负载情况下的可靠工作能力。这种特性使得AOD409适合用于电源管理、电机驱动及负载开关等需要高电流和高电压的应用。

从导通电阻的角度来看,AOD409在20A和10V下的漏源导通电阻为40mΩ,显著降低了在高负载条件下的功耗。这意味着在实际应用中,使用AOD409能够有效提高电能传输的效率,降低热量产生,从而延长设备的使用寿命。

另外,该器件具有较低的栅源极阈值电压(2.4V),这意味着在较低的控制电压下即可实现高效导通,简化了驱动电路的设计。这一特性特别适合那些使用低电压驱动信号的应用。

应用场景

AOD409可广泛应用于各种电子设备之中,主要包括:

  1. 电源管理: 适用于DC-DC转换器、开关电源及线性电源。
  2. 电机控制: 可用作_DC电机、步进电机及伺服电机的驱动开关。
  3. 负载开关: 在家电、LED照明等领域用于负载开关控制。
  4. 通信设备: 适用于各种通信设备中的电源和负载管理。

封装及散热管理

TO-252封装(DPAK)为AOD409提供了良好的散热性能,适合高功率应用。该封装的设计确保了在持续负载情况下的热散发效率,帮助降低MOSFET的工作温度,从而提高整体系统稳定性。

为了进一步优化散热,建议在设计电路时,对MOSFET进行适当的散热设计,例如增加散热器或者改善空气流通,以确保器件在最大功率耗散条件下保持安全工作。

总结

AOD409作为一款高性能P沟道MOSFET,凭借其优越的电气特性及适用广泛的封装形式,为各类电子设备提供了灵活且高效的解决方案。其优秀的漏源电压和漏极电流处理能力,使其在当前的电子市场中具备竞争力,尤其是在需要高效率和可靠性的应用中,如电源管理和负载控制等领域,AOD409无疑是一个值得信赖的选择。