类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 35A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12.3mΩ@13.9A,10V |
功率(Pd) | 3.7W;52W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 59nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI7617DN-T1-GE3 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)推出的高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。其设计旨在满足高效能和高可靠性的应用需求,这使其适用于电源管理、逆变器、电动机驱动以及其他需要高功率和高电流的电路。这款 MOSFET 封装形式为 PowerPAK® 1212-8,特有的设计使其在较小的尺寸下具备良好的散热能力,从而提升了整体性能。
SI7617DN-T1-GE3 可广泛应用于以下领域:
该产品的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,适应范围广,能在极端温度条件下稳定工作,保证了在高温和低温环境中应用的可靠性。其优秀的热管理特性使得设备在高负载下也能保持良好的性能,降低过热风险。
SI7617DN-T1-GE3 使用表面贴装(SMT) 安装方式,便于自动化焊接工艺。PowerPAK® 1212-8 封装有效减少了安装空间,同时提高了产品的散热性能,以确保在高功率状态下的稳定性和安全性。
SI7617DN-T1-GE3 是一款高效、可靠的 P沟道 MOSFET,它结合了优秀的电气特性和广泛的应用兼容性,适合用于多种电源管理及信号开关应用。凭借其强大的性能和卓越的散热能力,SI7617DN-T1-GE3 在当今快速发展的电子行业中,无疑是实现高效率和高可靠性方案的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是电动汽车等领域,它都能为工程师们提供有效的电源解决方案,助力产品创新。