SI7617DN-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7617DN-T1-GE3

商品编码: BM0093065204
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® 1212-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.7W;52W 30V 35A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
36397(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.79
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.79
--
3000+
¥1.7
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7617DN-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12.3mΩ@13.9A,10V
功率(Pd)3.7W;52W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)59nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.8nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SI7617DN-T1-GE3手册

SI7617DN-T1-GE3概述

SI7617DN-T1-GE3 产品概述

概述

SI7617DN-T1-GE3 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)推出的高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。其设计旨在满足高效能和高可靠性的应用需求,这使其适用于电源管理、逆变器、电动机驱动以及其他需要高功率和高电流的电路。这款 MOSFET 封装形式为 PowerPAK® 1212-8,特有的设计使其在较小的尺寸下具备良好的散热能力,从而提升了整体性能。

基本参数

  • 类型: P沟道 MOSFET
  • 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8
  • 漏源极电压(Vds): 30V,适合用于低压供电应用
  • 栅源电压(Vgs): ±25V,保证了设备兼容性和灵活性
  • 电流能力: 25°C 时的连续漏极电流 (Id) 可达 35A(在晶体管结温 Tc 下)
  • 导通电阻(Rds On): 导通电阻的最大值为12.3 毫欧 @ 10V 时 13.9A,显著降低了功耗并提升了效率
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.5V @ 250µA,确保了快速开关响应
  • 门电荷 (Qg): 最大值为 59nC @ 10V,提供较低的驱动功率消耗
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 1800pF @ 15V,以适应高频操作
  • 功率耗散能力: 最大功率耗散为 3.7W(环境温度 Ta 下)和 52W(结温 Tc 下),适合严苛的运行条件

应用领域

SI7617DN-T1-GE3 可广泛应用于以下领域:

  • 电源转换: 适用于开关电源、Buck 变换器和Boost 变换器等应用,能够高效处理功率转换,增强系统的整体效率。
  • 电动汽车: 在电动汽车和混合动力汽车中,作为电机驱动和电源管理组件,提升能量利用率和续航里程。
  • 工业电源管理: 适用于各种工业设备中的功率控制和开关应用,包括电机驱动、伺服驱动等。
  • 消费电子产品: 在智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备中用于提高功率转换性能,延长电池续航时间。

工作温度和环境适应性

该产品的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,适应范围广,能在极端温度条件下稳定工作,保证了在高温和低温环境中应用的可靠性。其优秀的热管理特性使得设备在高负载下也能保持良好的性能,降低过热风险。

散热与安装

SI7617DN-T1-GE3 使用表面贴装(SMT) 安装方式,便于自动化焊接工艺。PowerPAK® 1212-8 封装有效减少了安装空间,同时提高了产品的散热性能,以确保在高功率状态下的稳定性和安全性。

结论

SI7617DN-T1-GE3 是一款高效、可靠的 P沟道 MOSFET,它结合了优秀的电气特性和广泛的应用兼容性,适合用于多种电源管理及信号开关应用。凭借其强大的性能和卓越的散热能力,SI7617DN-T1-GE3 在当今快速发展的电子行业中,无疑是实现高效率和高可靠性方案的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是电动汽车等领域,它都能为工程师们提供有效的电源解决方案,助力产品创新。