类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 6.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 500mΩ@10V,6.6A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 44nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 81pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
IRF9640PBF 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,由知名品牌 VISHAY(威世)制造,广泛用于各种电子电路应用中。该器件在功率电子和开关电源领域表现出色,其主要特点包括:额定漏源电压(Vdss)为 200V,连续漏极电流(Id)在 25°C 时高达 11A,以及额定功率耗散达到 125W。这些特性使得 IRF9640PBF 成为高压开关、直流-直流转换器、电机驱动及许多其他功率应用的理想选择。
关键参数
结构与封装
IRF9640PBF 采用 TO-220AB 封装,适用于在有限空间内散热和安装,这种封装形式适合高功率应用,提供良好的散热性能。MOSFET 的封装设计考虑了电气和热管理性能,确保器件能够在高负载和高温环境中稳定运行。
电气特性
该 MOSFET 的栅源阈值电压为 4V,表示器件在这个电压下开始导电,非常适合用于低电压驱动的应用。同时,漏源导通电阻(Rds(on))为 500mΩ,确保在通电状态下能够有效降低功耗和热量产生,提升效率。
对于更高频率的应用,器件的栅极电荷(Qg)为 44nC @ 10V,意味着其在开关过程中具有较小的导通损耗和关断时间,允许高速开关操作,满足高效率电源转换需求。
应用领域
IRF9640PBF 在电气工程中具有极其广泛的应用,尤其是在以下领域:
结论
总的来说,IRF9640PBF 以其卓越的电气性能和结构设计成为高压应用中不可或缺的组件。无论是在高效电源转换、电机驱动还是其他各种高性能电子应用中,它均显示出良好的稳定性与可靠性。选择 IRF9640PBF 意味着能够获得卓越的性能与耐久性,满足现代电子设计中对高效率和高功率的需求。