集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5mA,10V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 800mV@100uA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 3V@2mA,0.3V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 150mV@5mA,0.5mA | 输入电阻 | 47kΩ |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTC044EEBTL是一款由ROHM(罗姆)公司生产的高性能NPN型数字晶体管,采用表面贴装(SMD)的方式封装,型号为EMT3F(SOT-416FL)。作为一款预偏置晶体管,该器件的特点是具备高效率、低功耗和良好的线性特性,适合广泛的应用场景,如信号放大、开关电源以及各种数字电路中的驱动和控制。
DTC044EEBTL具有较高的直流电流增益(hFE),在5mA和10V的情况下,最小增益可达80,使其在驱动负载时表现出优越的性能。其低饱和电压确保在开关状态时能够更高效地传递信号。
DTC044EEBTL广泛适用于:
在设计电路时,需要合理选择偏置电阻,以确保晶体管在最佳工作区域内。过高或过低的基极电流(Ib)可能导致晶体管工作不稳定或损坏。此外,在高频应用中,要注意信号的放大及失真情况,确保在250MHz的工作频率下性能达到预期。
DTC044EEBTL是一款性能卓越的NPN数字晶体管,其优良的电气特性和可靠的使用性能使其在多种电子应用中成为理想选择。从数字电路到高频应用的广泛适用性,让该器件在电子设计中具备了极高的灵活性,为工程师提供了强有力的支持。随着电子产品向小型化、集成化发展,DTC044EEBTL的优点将在未来的设计中显得愈发重要。