类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 185mΩ@4.5V,2.7A |
功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 708pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 32pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、概述
DMP6185SE-13 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具有优异的电气特性和广泛的应用领域,特别适合于开关电源、马达驱动及其他电源管理应用。该器件由美台(DIODES)品牌制造,采用 SOT-223 表面贴装封装,适合于高密度电路的设计。
二、基本参数
三、封装与安装
DMP6185SE-13 采用 SOT-223 封装,具有四个引脚,非常适合于表面贴装(SMT)技术。这种小巧的封装使得轻松集成于各种电路板中,提高了空间利用率,适合现代电子设备对小型化的需求。
四、应用领域
DMP6185SE-13 在多个领域中可发挥其优势,主要应用包括但不限于:
五、优势分析
DMP6185SE-13 的优势主要在于以下几个方面:
六、结论
总之,DMP6185SE-13 是一款适应广泛应用的 P 沟道 MOSFET,具备卓越的电气性能、可靠的耐用性与精巧的设计,特别适合用于需要高效开关和电源管理的现代电子设备。无论是在工业、消费电子,还是汽车电子等领域,该产品都能提供稳定的性能与较长的使用寿命,是电子设计师和工程师的理想选择。