类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 3.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V,3.3A |
功率(Pd) | 720mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 587pF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP4065SQ-7 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),主要目标是满足现代电子电路对高效能和小体积元器件的需求。该产品具有广泛的应用场景,尤其适用于低压直流-直流(DC-DC)转换、负载开关、功率管理、电源管理和马达驱动等领域。
DMP4065SQ-7 的特性使其成为理想的选择,适合于:
DMP4065SQ-7 是一款性能出色的 P 通道 MOSFET,具备高电流承载能力、低导通电阻与宽工作温度范围,能够满足现代电源管理和负载开关应用的需求。无论是在电源优化、热管理,还是在提高电路效率方面,该产品都是理想的选择。美台(DIODES)凭借其在半导体领域的专业技术与创新能力,确保了 DMP4065SQ-7 在市场中的竞争力和可靠性,非常适合各类电子设备的应用设计。