BSS123LT1G 产品概述
一、基本信息
BSS123LT1G 是一种 N 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 ON Semiconductor(安森美)的产品系列,采用 SOT-23-3 (TO-236) 表面贴装封装。该器件具有较高的漏源电压(Vdss)和较高的连续漏极电流,这使其在各种高压、大电流应用场合下表现优异。
二、技术规格
- FET 类型: N 通道
- 漏源电压(Vdss): 100 V
- 连续漏极电流(Id): 170 mA (在 25°C 时)
- 驱动电压(Vgs): 最大 Rds On 时为 10V
- 导通电阻(Rds(on)): 在 Id=100 mA,Vgs=10V 时,最大值为 6 Ω
- 阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 2.6 V(范畴适用测试条件为 Id=1 mA)
- 栅极-源极电压(Vgs): 最大值为 ±20 V
- 输入电容(Ciss): 最大值为 20 pF(在 Vds=25 V 时)
- 功率耗散: 最大值为 225 mW(在环境温度下)
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: SOT-23-3(TO-236)
三、应用场合
BSS123LT1G 在电子设计中应用广泛,适用于如下领域:
- 电源管理: 由于其高电压和电流承载能力,BSS123LT1G 可用于开关电源(SMPS)与电压稳压器电路。其良好的导通特性和低导通电阻使其在高效能电源设计中表现突出。
- 信号开关: 该 MOSFET 可用于低功耗信号的切换,实现信号的高效传输和频率控制。
- 负载驱动: 在各类负载驱动电路中,尤其是小功率负载,BSS123LT1G 可实现精确的电流控制和增强的驱动能力。
- 便携设备: 鉴于其小型化的 SOT-23 封装,该 MOSFET 适用于空间要求严格的便携式设备中,如手持式电子产品、移动电子设备等。
四、优势与特点
- 高温稳定性: 面对较大温度变化,BSS123LT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于严苛的工作环境,能够有效保持器件的性能稳定。
- 低导通电阻: 最大导通电阻为 6 Ω,可以在较低的驱动电压条件下实现高效的电流传输,减少功率损耗。
- 小型封装: SOT-23-3 封装使其在高度集成的电路中具有极大的空间优势,也便于自动化生产和简化焊接流程。
- 应用灵活性: 支持多种类型的电路设计,能够满足不同客户的需求,适合多种行业。
五、总结
BSS123LT1G 作为一款高性能 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性和广泛的应用范围,成为电子设计工程师的理想选择。无论是在电源管理、信号开关,还是在便携设备的负载驱动中,该元件都能提供可靠的解决方案,助力实现高效能和高可靠性的电子产品设计。选择 BSS123LT1G,您将获得性能和品质兼具的优秀MOSFET解决方案。