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MMBTA42LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBTA42LT1GRoHS
商品编码:
BM0093065371复制
品牌:
ON(安森美)复制
封装:
SOT-23复制
包装:
编带复制
重量:
0.03g复制
描述:
三极管(BJT) 225mW 300V 500mA NPN复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
MMBTA42LT1G参数
属性
参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)300V
耗散功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE)25
特征频率(fT)50MHz
属性
参数值
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN
MMBTA42LT1G手册
MMBTA42LT1G概述

MMBTA42LT1G 产品概述

1. 概述

MMBTA42LT1G是一款高性能的NPN三极管,适用于多种电子应用。该器件由安森美(ON Semiconductor)生产,具有卓越的电气性能和可靠性,适合用于低功耗、高电压和高频率应用。通过其优越的集电极电流能力和广泛的工作温度范围,MMBTA42LT1G能够满足现代电子设备对组件的苛刻要求,从而确保系统的稳定性和效率。

2. 主要产品参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 500 mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 300 V
  • 最大饱和压降 (Vce(sat)): 500 mV(在2 mA和20 mA下)
  • 截止电流 (ICBO): 100 nA
  • 输出电流增益 (hFE): 最小40(在30 mA和10 V时)
  • 最大功率: 225 mW
  • 频率响应: 50 MHz
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 封装类型: SOT-23-3 (TO-236)
  • 安装类型: 表面贴装型

3. 结构与封装

MMBTA42LT1G采用SOT-23-3封装,这种小型封装特点是占用空间小,非常适合现代电子设备中高密度电路的设计需求。它的表面贴装设计便于在自动化生产中实现高效率的制程。

4. 性能特点与应用

MMBTA42LT1G的主要特点是其高集电极电流和高击穿电压,适合用于开关电路、放大器,以及各种信号处理应用。具体应用范围包括:

  • 开关电源: MMBTA42LT1G能够在高压电源中作为开关器件,处理较大的集电极电流,同时保持低的开关损耗。
  • 功率放大器: 在某些音频和射频设计中,可用作功率放大器中的输出级,尤其在需要较高电流的情况下表现优异。
  • 信号调理电路: 由于其出色的频率响应,该三极管可以用于各种信号调理电路中,增强信号的稳定性和准确性。

5. 适用环境

MMBTA42LT1G支持广泛的工作温度范围,从-55°C到150°C,适用于严苛的环境条件。这使得它适合于航空航天、汽车、工业控制以及其他需要高温和耐久性要求的应用。

6. 设计灵活性

该元器件的高增益与较低的饱和压降使得设计师在电路设计中拥有更大的灵活性,减少了对于其他外部元件的依赖。这不仅简化了电路设计,也降低了整体系统成本。

7. 结论

综上所述,MMBTA42LT1G是安森美公司推出的一款优质NPN三极管,凭借其卓越的性能、高效的功率处理能力和广泛的工作温度范围,成为了电子产品设计中不可或缺的元件。无论是用于开关电源、功率放大器,还是信号调理电路,MMBTA42LT1G都能提供可靠的解决方案,其轻巧的SOT-23-3封装使其成为现代电子应用的理想选择。若需详细技术信息或咨询,请访问安森美官方网站获取更多资源。

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