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WNM2021-3/TR
- 商品编码： BM0093065386复制
- 品牌： WILLSEMI(韦尔)复制
- 封装： SOT-323复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.035g复制
- 描述： 场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个N沟道复制
WNM2021-3/TR参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 890mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@1.8V |
| 耗散功率(Pd) | 370mW |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.15nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 50pF |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道 |
WNM2021-3/TR手册
WNM2021-3/TR概述
WNM2021-3/TR 产品概述
产品描述
WNM2021-3/TR 是一款高性能的 N 沟道场效应管（MOSFET），由知名品牌 WILLSEMI（韦尔）生产。该组件采用 SOT-323 表面贴装封装，专为各种电子应用而设计。其具有工作的电压最高可达 20V，能够承载的电流最大可达 820mA，功耗限制为 310mW，适合用于小功率开关和线性调节电路。
技术规格
- 类型: N 沟道 MOSFET
- 封装: SOT-323
- 最大漏源电压 (V_DS): 20V
- 最大漏电流 (I_D): 820mA
- 最大功耗 (P_D): 310mW
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 传输开关特性: 低开关电压（V_GS(th)）可实现更高的效率和快速响应时间。
应用场景
WNM2021-3/TR 的多功能性使其适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
电源管理: 作为开关元件实现金融设备、小型电源模块和电池管理系统的高效开关。
信号开关: 用于音频和视频设备的信号切换，在信号完整性要求较高的场合，提供优异的低噪声性能。
电子消费品: 在智能手机、平板电脑及其他便携式设备中的电源调控、负载切换等功能。
车载电子: 在汽车电子系统中，如电池管理、智能照明及辅助驾驶系统，WNM2021-3/TR 以其紧凑的封装和高效性来提升设备的能量管理和性能。
工业自动化: 在可编程逻辑控制器（PLC）和伺服电机驱动中，作为功率开关器件助力实现高精度和高效能。
优势与特性
高导通性与低导通电阻: WNM2021-3/TR 设计有优良的导电特性，低导通电阻(R_DS(on))使得在大电流下能有效降低功耗，提升热管理效率。
快速开关性: 该 MOSFET 具备较快的开关特性，使其能够在高频应用中实现卓越的响应速度，适合于频繁切换的应用场合。
优异的热稳定性: 该元器件支持在较广的温度范围内工作，且具备较高的耐压性，使其在多种苛刻环境中均能稳定运行。
小型化封装: SOT-323 封装确保了元件的紧凑性和轻量化，易于在小型电路板上布线，适合现代高集成度电子产品。
设计建议
在使用 WNM2021-3/TR 时，建议设计师用适当的栅极驱动电压V_GS确保MOSFET的充分打开，以实现最佳性能。此外，应注意元件的功耗和热量管理，可能需要在高功率应用中添加散热措施，以增强系统的稳定性和耐用性。
结论
综上所述，WNM2021-3/TR 是一款高度集成、性能卓越的 N 沟道 MOSFET，适用于多种电子应用场景。凭借其出色的开关特性、良好的热稳定性以及小型轻便的设计，它将能够满足现代电子设备在功耗和体积方面的严格要求，是电子工程师进行设计的一款理想元件。