NTNS3164NZT5G

NTNS3164NZT5G 产品概述

概述

NTNS3164NZT5G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管）。该器件采用卷带包装（TR），主要用于表面贴装应用，提供了优化的电性能和热管理特性。凭借卓越的导通电阻和相对较高的漏极电流能力，NTNS3164NZT5G 广泛适用于多种电子电路和设备，为设计工程师提供了灵活性和可靠性。

关键特性

• 电流能力: 在 25°C 的环境温度下，NTNS3164NZT5G 的连续漏极电流（Id）高达 361mA，使其能够在较高的工作负载下稳定运行。

• 导通电阻: 器件在 200mA 与 4.5V 驱动电压下的最大导通电阻为 700毫欧，良好的电阻特性使得该 MOSFET 能有效降低功耗并提升电路整体效率。

• 工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围广泛，能够在 -55°C 至 150°C 的环境中稳定工作，非常适合高温和严酷环境下的应用需求。

• 电压特性: NTNS3164NZT5G 的漏源电压（Vdss）可达到 20V，而栅极电压（Vgs）最大可承受 ±8V，为电路提供了良好的电压兼容能力。

• 栅极阈值电压: 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为 1V（@ 250µA），确保在低电压条件下也能实现导通，适用于低功耗应用。

• 小型封装: NTNS3164NZT5G 采用 SOT-883（XDFN3）封装，尺寸为1x0.6mm，适合于空间有限的电子设备设计。

• 输入和输出特性: 在 10V 的条件下，器件的输入电容 Ciss 最大为 24pF，而栅极电荷 Qg 在 4.5V 时的最大值为 0.8nC，这意味着在快速开关操作时器件的响应速度较快，适合高频应用。

应用场景

NTNS3164NZT5G MOSFET 广泛应用于各种场合，包括但不限于：

1. 直流-直流转换器: 由于其低导通电阻和高电流能力，适合用作开关元件提高能效。

2. 电池管理系统: 在电池的充放电过程中，能够安全高效地管理电池电流，有助于延长电池寿命。

3. 便携设备: 小型封装使其在移动设备、智能穿戴设备等对空间有严格要求的应用中非常受欢迎。

4. 电机驱动与控制: NTNS3164NZT5G 可作为电动机驱动电路中的开关元件，有助于提高电机运行效率。

5. 开关电源: 适用于现代开关电源设计，降低能源消耗并提升转化效率。

结论

NTNS3164NZT5G 是一款功能全面、性能优秀的 N 通道 MOSFET，适用于各种创新电子产品应用。凭借其优良的电气特性与宽广的工作温度范围，它为设计人员提供了高效、可靠的解决方案，帮助他们在实际应用中实现更高的整体系统性能。选择 NTNS3164NZT5G，不仅能够满足现代电子产品的性能需求，同时也助力在不断变化的市场竞争中占得先机。