类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 6.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@4.5V,3.2A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 50nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 340pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7404TRPBF 产品概述
IRF7404TRPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,采用先进的金属氧化物半导体技术制造,广泛应用于各种电子电路中,包括电源管理、负载开关和信号调理等场景。该产品以其优良的电气性能和高效的热管理能力而受到设计工程师们的青睐。
电压与电流能力
导通电阻
阈值电压
输入电容和栅极电荷
工作环境与散热
该元件采用 SOIC-8 表面贴装型封装,便于在现代电子设备中集成。其封装尺寸为 0.154"(3.90mm 宽),使得它非常适合空间受限的电路板设计。同时,SOIC 封装的引脚阵列设计也便于进行自动化贴装,提高生产效率。
IRF7404TRPBF 广泛适用于各种电子电路,尤其在以下应用中表现优异:
总而言之,IRF7404TRPBF 是一款性能卓越、可靠性高的 P 通道 MOSFET,具备出色的电气特性和坚固的工作环境适应性。其低导通电阻、宽工作温度范围和适合多种应用场景的灵活性,使其成为电子工程师设计电源和负载控制电路的理想选择。无论是工业设备还是消费电子产品,IRF7404TRPBF 均能满足高效能与高可靠性的要求。