类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 1.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 155mΩ@10V,1A |
功率(Pd) | 900mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.8nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 182pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
NTR5198NLT1G是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的高性能n沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。本产品采用小型SOT-23-3封装,适用于表面贴装设备。NTR5198NLT1G在广泛的电源管理和开关应用中表现优异,能够满足要求高效率和小体积的设计需求。
NTR5198NLT1G以卷带(TR)形式供应,适合自动化贴装。其SOT-23-3封装设计使其占用空间小,便于在板级应用中实现高集成度的设计。
该器件工作温度范围从-55°C到150°C,具有优越的热稳定性。这种广泛的温度适应性使其可广泛应用于汽车、工业控制和消费电子产品等高温环境。
NTR5198NLT1G适用于多种应用场合,包括:
NTR5198NLT1G是一个高效能、温度范围广、适合多种应用的n沟道MOSFET。其优越的电流能力、低导通电阻和快速开关特性,使其成为现代电子设计中一个不可或缺的元件。通过选择NTR5198NLT1G,工程师能够在设计中实现更好的效率、更小的尺寸和更高的可靠性。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,NTR5198NLT1G都能提供卓越的性能和可持续的解决方案。